AI算力需求外溢，全球晶圆代工单季营收966亿美元

AI驱动下的半导体制造热度仍在延续。Counterpoint Research最新发布的晶圆代工供应追踪报告显示，2026年第二季度全球晶圆代工2.0市场营收达到966亿美元，同比增长25%、环比增长11%，增速较上一季度进一步加快。

AI GPU持续增长的需求，以及包括定制化ASIC、服务器CPU、网络芯片和电源管理IC在内的AI基础设施扩张，是本轮增长的主要推动力。

所谓“晶圆代工2.0”，是Counterpoint提出的统计口径，不仅包括台积电、三星等纯晶圆代工厂，还纳入非存储IDM、OSAT封测厂以及光掩模供应商，试图更完整地反映从晶圆制造到封装、测试一体化的产业趋势。

台积电仍是最大受益者，份额升至42%

2026年第二季度，纯晶圆代工行业营收同比增长29%至549亿美元。其中，台积电营收同比增长34%、环比增长12%，达到402亿美元，在晶圆代工2.0市场中的份额从2025年的38%升至约42%。

Counterpoint预计，台积电2026年全年营收将增长约43%，这意味着下半年同比增幅可能接近50%。不过，其增速较第一季度的41%有所放缓，后续表现将取决于N2制程量产爬坡、晶圆价格调整以及CoWoS产能扩充进度。

除台积电外的纯晶圆代工厂营收同比增长18%，高于第一季度的9%。其中，中芯国际同比增长36%，华虹和晶合集成（Nexchip）同比分别增长17%和21%。

中国台湾地区二线代工厂表现呈现分化趋势。联电（UMC）和世界先进（Vanguard）同比增长9%和20%，主要受电源管理 IC（PMIC）、MCU及其他外围芯片需求推动；格罗方德（GlobalFoundries）增速相对温和，汽车和智能手机需求疲软抵消了数据中心业务的增长。

此外，三星以约4%的市场份额位居第二，英特尔晶圆代工同比增长31%，其EMIB-T封装已被谷歌用于下一代TPU。

来源：Counterpoint Research 晶圆代工追踪报告，2026 年第二季度

先进封装成瓶颈：CoWoS缺口约20%

增长的另一面是瓶颈。尤其是CoWoS产能紧张限制了AI产品出货，促使台积电加大后端投资，客户也在同步构建替代封装方案。这不会动摇台积电在高端产品中的领先地位，但先进/成熟制程以及封装领域的制造产能正在经历结构性重新配置。

Counterpoint预计，2026年台积电CoWoS供需缺口将维持在20%左右，随着内部产能向每月18.5万片晶圆（KWPM）规模扩展，该缺口将在2027年收窄至约10%。

封测环节走向前台

OSAT行业第二季度营收同比增长22%、环比增长12%，达到126亿美元。市场增长主要由 AI 处理器对先进封装、晶圆探测（wafer probing）和成品测试需求驱动。日月光（ASE）增长24%，安靠（Amkor）增长26%，其他OSAT厂商也普遍实现20%以上的同比增长。

在晶圆代工2.0市场中，日月光的规模仅次于台积电，正逐渐成为先进封装领域的第二供应商。安靠正在扩大2.5D封装产能，力成科技（Powertech）则在CPU封装领域争取机会，并开发面板级封装技术。

随着芯片复杂度提升，最终测试和老化测试（burn-in test）的重要性日益凸显。不同架构的测试要求存在差异，供应商需要针对性定制优化，良率稳定性和工艺整合能力正成为OSAT厂商的核心竞争力。

非存储IDM复苏延续

非存储IDM厂商整体营收同比增长19%。其中英特尔晶圆代工增长31%，意法半导体（STMicroelectronics）增长26%，德州仪器（Texas Instruments）增长23%，恩智浦（NXP）增长19%，英飞凌（Infineon）增长15%。部分增长来自较低的比较基数——2025年上半年该板块仍处于库存调整阶段。

Counterpoint预计复苏态势将延续至下半年，主要受益于AI数据中心机架级功率密度提升及向更高电压供电架构转型，带动PMIC、MOSFET、以及碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）器件需求。但如果晶圆代工和封装成本上涨无法向下游传导，IDM厂商利润率可能承压。

未来竞争焦点：封装而非制程微缩

Counterpoint预计，未来五年将有超过1.3亿颗GPU和AI ASIC搭载采用先进封装技术的计算侧内存（on-compute memory）出货，创造近2万亿美元的计算相关营收。

但要实现这一目标，业界仍需突破三大瓶颈：内存墙（Memory Wall）、性能墙（Performance Wall）和铜墙（Copper Wall）。HBM对CoWoS硅中介层的依赖带来了成本、良率和产能三重约束，推动市场探索替代方案。

英特尔正将EMIB桥接封装与ZAM和XBM内存架构结合，形成CoWoS之外的方案；高通的高带宽计算（HBC）将LPDDR内存堆叠在逻辑裸片上，绕开2.5D硅中介层，首批产品预计2027年年中推出；英伟达的NVHBM技术则将内存控制器移至定制HBM基础裸片中，由英伟达设计、存储厂商按需生产。