铠侠与闪迪联合投资310亿美元扩建日本工厂，新建K3厂房瞄准AI需求
国际电子商情28日讯 8月27日，铠侠株式会社与闪迪株式会社联合宣布，计划在获得政府支持的情况下，于2032年前在日本投资约5万亿日元（约合310亿美元），用于扩建四日市和北上工厂的连续生产设施建设，以及相关基础设施和技术的完善。两家公司表示，此项投资旨在进一步加强双方长达25年的合资合作关系，促进闪存长期稳定供应，满足人工智能和数据社会日益增长的需求。过去25年来，两家公司已在日本投资约9万亿日元（约合500亿美元），推动了闪存技术的创新。
铠侠总裁兼首席执行官太田博夫表示，此次合作进一步巩固了与闪迪的长期合作伙伴关系，也体现了铠侠致力于推动人工智能社会发展的坚定承诺，铠侠将精准满足人工智能社会发展所需的高容量、高性能和高能效闪存需求。
闪迪董事长兼首席执行官David Goeckeler表示，这项投资计划是一项关键举措，旨在确保能够满足客户日益增长的技术需求，符合公司的业务战略和财务指导方针，同时相信它将为运营所在地的社区创造新的经济机遇，并成为美日经济合作的象征性成功案例。
今年1月，铠侠和闪迪将双方在四日市工厂的合资协议延长至2034年12月。该合资企业已运营超过25年，双方在闪存开发和前端生产方面开展合作。
同日，铠侠还宣布已开始为日本岩手县北上市工厂新建第三座生产厂房（Fab3/K3）进行场地准备等相关工作，以扩大先进3D闪存BiCS FLASH产能。Fab3将建于现有Fab2南侧，目标于2029财年开始运营。
据日经新闻报道，该新厂投资规模超过1万亿日元（约合68亿美元），将主要用于生产铠侠最新的高密度3D NAND Flash芯片，以应对AI服务器对高性能存储芯片的旺盛需求。铠侠将与闪迪共同投资此项目，预计该大规模投资项目将获得日本经济产业省的补贴。目前，铠侠已开始与部分半导体设备制造商接洽采购事宜。
铠侠表示，随着智能体AI、物理AI和端侧AI发展，中长期闪存市场预计将持续大幅增长。公司将通过建设Fab3扩大产能并确保先进闪存产品稳定供应。Fab3的具体建设进度和设备投资计划将根据市场趋势确定，相关投资取决于政府支持。
有分析指出，在全球NAND闪存市场，铠侠目前排名第三，仅次于三星电子和SK海力士。面对两家韩国竞争对手此前宣布的巨额投资计划，铠侠此次加码建厂被视为其保持竞争力的关键举措。值得注意的是，铠侠已于上月开始了其第十代BiCS Flash堆叠式NAND Flash的出货，为新厂未来量产更先进的存储产品奠定了技术基础。
