铠侠宣布投资超1万亿日元在日本北上工厂新建第三座NAND厂房

8月27日，据日经亚洲报道，日本NAND闪存大厂铠侠（Kioxia Holdings）宣布一项新的建设计划，拟投资超1万亿日元（约合68亿美元），在日本岩手县北上工厂园区内新建第三座生产厂房（K3），用于量产下一代高性能NAND闪存芯片。项目目标投产时间定在2029年以后。

知情人士透露，铠侠高层计划于周四前往日本首相官邸宣布该计划。此次扩产旨在满足持续强劲的人工智能（AI）相关存储需求，提高铠侠的晶圆制造产能，以应对AI服务器对高性能存储芯片的旺盛需求。

与闪迪共同投资，瞄准高密度3D NAND

据芯智讯援引日经新闻报道，这座规划中的新厂将是铠侠在北上工厂园区的第三座厂房，将主要用于生产铠侠最新的高密度3D NAND Flash芯片，以应对AI服务产生的大规模数据工作负载。

铠侠将与美国同业SanDisk（闪迪）共同投资此项目。这一投资也与日本政府推动国内半导体生产的政策方向一致，预计该大规模投资项目将获得日本经济产业省的补贴。目前，铠侠已开始与部分半导体设备制造商接洽采购事宜。

跟随韩厂脚步，巩固全球第三地位

在全球NAND闪存市场，铠侠目前排名第三，仅次于韩国的三星电子和SK海力士。面对两家韩国竞争对手此前宣布的巨额投资计划，铠侠此次加码建厂被视为其保持竞争力的关键举措。

此次投资是铠侠为应对全球NAND Flash市场竞争所采取的重要行动。随着AI的普及带动数据中心对高性能存储芯片的需求激增，铠侠希望通过此次增产投资，加快其高性能产品的产能布局，在存储芯片"三国杀"中不被甩开身位。

值得注意的是，铠侠已于上月开始了其第十代BiCS Flash堆叠式NAND Flash的出货，为新厂未来量产更先进的存储产品奠定了技术基础。