源杰科技官宣：43亿扩产激光器芯片

8月11日晚，陕西源杰半导体科技股份有限公司发布公告，公司拟在陕西省西咸新区沣西新城投资建设源杰半导体科技产业园项目，投资总额约为42.68亿元，约合43亿元人民币。

项目占地约126亩，建设周期预计为24个月，主要建设内容包括激光器芯片生产线、生产厂房及配套设施，旨在突破现有产能瓶颈，扩大高端激光器芯片的生产规模。目前该事项已通过公司董事会审议，尚需提交股东会审议，并需办理用地、备案、环评等前置审批手续。

源杰科技是国内少数采用IDM垂直整合制造模式的光芯片企业，覆盖从芯片设计、外延生长到晶圆制造、封装测试的全产业链条。

 

在产品布局方面，源杰科技已形成覆盖2.5G至200G速率的光芯片产品矩阵。

 

在硅光光源领域，公司70毫瓦大功率连续波激光器芯片已实现百万颗级大规模供货，100毫瓦产品已通过客户验证并批量交付，300毫瓦产品则面向下一代共封装光学技术路线进行研发。

 

在高速电吸收调制激光器芯片领域，公司100G PAM4产品已完成客户验证，200G PAM4产品进入客户验证阶段。这些产品广泛应用于数据中心、5G通信、光纤接入等场景，是中际旭创、新易盛、光迅科技、海信宽带等国内外主流光模块厂商的核心供应商，最终客户涵盖华为、中兴、诺基亚等通信设备巨头以及三大电信运营商。

 

业绩方面，得益于数据中心业务收入增长，2026年上半年，源杰科技预计实现营业收入9.00亿元至9.50亿元，归属于上市公司股东的净利润预计达到6.00亿元至6.50亿元，同比增长约1197%至1305%，盈利水平已达2025年全年净利润的3倍以上。

 

项目建设方面，除本次43亿元产业园项目外，今年2月，源杰科技还曾公告拟投资约12.51亿元建设光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目，并使用超募资金加码50G光芯片产业化建设。此外，公司在海外的产能布局也有望在2026年下半年陆续释放，进一步缓解产品供不应求的局面。

 

资本活动方面，今年3月，源杰科技递表计划在港交所主板上市，启动“A+H”股双平台布局策略，为长远发展构筑资本后盾。（集邦光通信整理）