外媒：SK海力士拟30亿美元出售重庆封装厂股份

据彭博社8月8日报道，SK海力士正在就位于中国重庆的半导体封装厂寻求多种处置方案，潜在股权出售估值约30亿美元。该消息随后引发市场对SK海力士在华战略调整的广泛猜测。SK海力士官方于8月10日回应韩国交易所询问时称，正在审查加强重庆工厂竞争力的各种选项，但尚未做出任何决定。彭博社援引知情人士消息称，潜在买家包括中国投资基金及本土半导体企业，SK海力士可能保留少数股权，但谈判仍处于早期阶段，未必会达成实际交易。

（彭博社报道标题）

海外最大封测基地

SK海力士重庆工厂是该公司在中国负责NAND闪存后端封装与测试的核心基地，其运营主体为爱思开海力士半导体（重庆）有限公司。2013年5月，SK海力士与重庆市政府签订投资协议，同年7月15日正式成立公司并开工建设，项目落户于重庆西永微电子园区。2014年9月26日，一期项目举行竣工投产仪式，主要进行半导体后工序加工服务，包括芯片封装、测试、模组等生产线。

项目采取分期建设、滚动投入的策略。一期工程投资约3亿美元，占地面积500亩，于2014年下半年正式投产，一期项目拟形成7.2亿颗/年集成电路芯片封装产能。2017年9月，SK海力士与重庆市政府签署半导体后工序谅解备忘录，启动二期扩建，已于2019年9月竣工投产。至此，重庆工厂累计投资规模达到12亿美元，成为SK海力士在全球海外最大的封装测试基地。

（SK海力士重庆工厂）

从产能与人员规模来看，重庆工厂一期投产时雇有1200名员工，经过多轮扩产后员工规模已增长至超过2000人，整体产能提升至原有水平的2.5倍，年芯片产量接近20亿颗，承担SK海力士全球超40%的闪存产品封装测试任务。

中国产能仍占重要比重

尽管重庆工厂的股权出售引发退出中国的猜测，但多家分析机构指出，SK海力士并未放弃其在华前端制造布局。据TrendForce分析，2026年中国仍占SK海力士DRAM产能约30%至35%、NAND产能约35%至40%。其中，无锡工厂自2004年起便是SK海力士最重要的海外晶圆制造基地，该厂12英寸晶圆最高月产能可达13万片，约占SK海力士DRAM总产量的30%至40%，亦占全球DRAM产量约13%。

大连工厂则是SK海力士2020年以90亿美元收购英特尔NAND及SSD业务后获得的关键资产。该工厂工商注册名已变更为"爱思开海力士半导体存储技术（大连）有限公司"，由SK海力士全资持有，主要生产NAND闪存。据韩媒报道，SK海力士计划2026年下半年重启大连第二工厂扩建工程，开始安装生产设备，并分阶段完成设施建设直到2027年上半年，目标月产能为3万至5万片晶圆，但具体进度仍受美国对华半导体设备出口许可审批节奏的影响。

地缘政治与AI需求

SK海力士考虑出售重庆封装厂股份，是一次全球生产版图的战略性重置。一方面，美国2025年8月宣布撤销对三星和SK海力士在华工厂的“经验证最终用户”（VEU）许可豁免，这意味着向大连等中国工厂出口先进半导体设备需逐案申请许可证，大幅增加了技术升级和产能扩张的不确定性。大连工厂目前主要生产192层NAND，在美国出口限制下恐难以升级至SK海力士最先进的238层或321层制程。

另一方面，SK海力士正将资源和资本大举投向韩国本土及美国的AI存储器产能建设。8月7日，SK海力士董事会批准总投资54.3万亿韩元（约383亿美元），其中35.2万亿韩元用于龙仁半导体集群第二座工厂（Y2）建设，目标2029年6月启用首间洁净室，专门生产高带宽存储器（HBM）及下一代DRAM；19.1万亿韩元用于清州M17 NAND工厂，目标2028年12月启用首间洁净室。同时，SK海力士正投资38.7亿美元在美国印第安纳州西拉法叶建设先进封装厂，计划2028年下半年量产HBM等AI存储器封装产品。

业界消息显示，SK海力士已启动中国通用NAND封装产线的重组，计划通过外包封装与测试（OSAT）降低固定成本、提升整体运营效率。据韩媒报道，SK海力士正在重新思考“在哪里拥有、在哪里投资”，以及每个生产基地在未来技术路线图中的角色，而非追求对每一处设施的完全控股。重庆工厂的股权调整，正是这一战略思维的体现：将后端业务向资本效率更高的模式转型，同时把最前沿的HBM和先进封装产能集中布局于韩国和美国，以贴近核心客户需求并降低地缘政治风险。