拓荆科技沈阳新基地主体封顶，PECVD龙头产能再升级

8月10日，半导体设备企业拓荆科技位于辽宁省沈阳市的高端半导体设备产业化基地（沈阳二厂）顺利完成主体结构封顶。

图片来源：拓荆科技

 

项目总投资近18亿元，占地147亩，总建筑面积达15.6万平方米，是拓荆科技全球核心研发制造中心，预计2028年正式投入使用。

 

拓荆科技长期深耕高端半导体设备领域，专注于薄膜沉积设备和三维集成领域设备的研发与产业化应用。

 

公司产品已广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro OLED、硅光技术及图像传感器等多个领域。在薄膜沉积设备方面，拓荆科技已形成以PECVD设备为基石，横向拓展至ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等多类关键设备的产品矩阵，是国内薄膜沉积设备工艺覆盖度领先的厂商。

 

从财务表现来看，拓荆科技近年来业绩增长势头强劲。2025年全年，公司实现营业收入65.19亿元，同比增长58.87%，归母净利润达到9.27亿元，同比增长34.67%。

 

其中，核心产品PECVD系列设备实现销售收入约51.42亿元，同比增长75.27%，ALD设备销售收入约3.01亿元，同比大幅增长191.8%，混合键合设备实现营业收入1.36亿元，同比增长41.9%。

 

进入2026年，增长态势延续，第一季度公司实现营收11.12亿元，同比增长56.97%，归母净利润5.71亿元，同比大幅增长488.29%，毛利率回升至41.69%，盈利能力显著改善。公司方面在业绩说明会上表示，先进产品已进入规模化量产阶段，后续毛利率预计趋于平稳。

 

受益于人工智能、先进存储、汽车电子等下游市场的快速增长，国内芯片产线对国产薄膜沉积及三维集成装备的需求持续高涨。

 

截至目前，拓荆科技产品已导入国内约100条芯片产线，客户端累计流片量约6亿片，累计出货反应腔超过3000个，平均机台稳定运行时间超过90%，达到国际同类设备先进水平。公司目前已布局10余家子公司及孙公司，全国研发制造基地总规模接近30万平方米。

 

随着未来沈阳基地建成后，其作为拓荆科技总部基地，最大年产能规模将达到每年超过1000台，有力支撑拓荆科技在PECVD、SACVD、HDPCVD等系列高端薄膜沉积设备的产业化，以及公司业务规模的持续扩大、新产品的研发创新与技术迭代。（来源：集邦Display）