三星FMS 2026发布zHBM和zNAND-O概念产品，业界首款400层以上V10 BV-NAND亮相

当地时间8月4日，三星电子在美国圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会（FMS 2026）上，一口气扔出多颗足以改变游戏规则的"重磅炸弹"。公司首次公开了zHBM与zNAND-O概念模型，并推出业界首款层数超过400层的V10 BV-NAND，全面展示了其在AI时代的存储创新实力。

zHBM：把HBM直接叠在AI加速器上，性能飙8倍

三星专为先进AI运算设计的zHBM，彻底颠覆了传统HBM与处理器并排放置的设计思路，将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方，以进一步缩短数据传输距离。

据三星介绍，搭载下一代接口系统的zHBM预计性能可达到HBM5的约8倍。借助下一代晶圆键合技术，zHBM的内存密度超HBM5十倍以上，能效提升3倍，热阻降低一半以上。zHBM还支持客户定制化设计，允许在内存与AI加速器之间的中间层集成定制化IP，以扩展内存容量并提升加速器性能。

三星存储事业部执行副总裁李镇烨与副总裁金京轮在演讲中指出，三星正通过新一代3D结构内存，在满足高性能计算与AI基础建设需求之余，实现AI系统性能与能效的最大化。

zNAND-O：边缘AI的本地存储利器

针对边缘AI场景，三星推出了基于V-NAND技术的下一代高性能NAND解决方案zNAND-O，目前正开发4层与8层版本。

该方案结合高空间效率、提升的I/O性能与低延迟特性，专为支持实时、数据密集型AI应用的边缘AI环境优化。通过提升本地存储性能，该架构能够支持实时应用，在这些应用中，数据并非总能传输到集中式数据中心进行处理。

 

V10 BV-NAND：400层以上，密度提升58%

在NAND闪存领域，三星发布了采用全新键合式V-NAND架构的V10 BV-NAND，堆叠层数超过400层，是三星迄今为止公开的V-NAND产品线中层数最高的。该产品通过晶圆键合技术堆叠存储单元，内存密度较上一代V9提升约58%，同时在读取、写入及输入输出性能上均有显著增强。

此次发布距离三星在2013年闪存峰会上推出业界首款V-NAND技术已过去13年。三星计划将V10 BV-NAND应用于未来人工智能系统和其他数据密集型应用中的高容量、高性能存储领域。

三星电子在FMS 2026上公开展示业界首款将400层以上垂直堆叠的第10代V-NAND闪存“V10 BV-NAND”

其他企业的进展

SK海力士375层NAND年底量产，HBM4已交付

在三星发布400层以上NAND的同时，其韩国竞争对手SK海力士也在加速3D存储布局。据报道，SK海力士即将实现375层NAND的量产，该产品原计划规划为400层级，但由于超高层数带来的制造难题，包括通道刻蚀等制造工序的复杂，最终将量产产品层数调整为375层。

在HBM领域，SK海力士同样进展迅速。今年6月，SK海力士在HPED 2026展会上展示了16层48GB HBM4、12层36GB HBM4以及12层36GB HBM3E的实物产品。其256GB 3D堆叠式RDIMM产品采用TSV技术垂直连接DRAM芯片，是业界最大容量的服务器内存模块。此外，SK海力士还展出了基于LPDDR的SOCAMM2 AI服务器内存模块，以及通过HPE认证的数据中心级PS1010 E3.S eSSD。

值得注意的是，SK海力士与闪迪近期联合发布了HBF（Hybrid Bonding Flash）首个标准规范，推动晶圆键合技术在NAND领域的标准化应用。

美光400层NAND预计2029年放量

美光在3D NAND领域的布局相对保守。据报道，美光预计2029年才会实现400层NAND的放量。不过，美光在HBM领域同样积极，其HBM3E产品已获得英伟达等头部客户的广泛采用，并在2026财年第三季度实现了营收414.6亿美元、毛利率84.9%的历史新高。

铠侠332层设计性价比更优，400层计划推迟至2027-2028年

日本铠侠（Kioxia）则选择了不同的技术路线。铠侠在投资日上表示，与400层以上方案相比，其332层设计在GB成本上低约23%，功耗效率优约10%，单元可靠性亦高出约35%，综合效益更为突出。铠侠计划在2027到2028年实现350层到400层级别的NAND闪存。

长江存储Xtacking架构的独特优势

中国厂商长江存储由于Xtacking架构的独特性，层数上与其他厂商产品难以量化对比。TechInsights的分析显示，其最新的Xtacking 4.0产品已经达到业界标准的294层。对于未来400层以上的路线，理论上该架构有不小的优势。

从堆层数到系统架构创新

三星此次发布被业界解读为在内存产品性能竞争之外，拓展半导体系统结构设计业务范围的重要信号。随着AI加速器与内存结合的加强，代工、逻辑设计和先进封装能力在市场竞争中的影响也将日益增加。三星计划利用其在内存、系统半导体设计、代工和封装方面的综合业务结构，从产品设计阶段到量产全程支持客户。

分析人士指出，400层往后，NAND的量产难度骤然飙升，从过去的单纯制造问题，延伸到材料、结构、良率、速度与架构的多维约束。未来存储竞争的方向，或许不再仅仅是堆叠层数的比拼，而是系统架构创新的较量。