美光93亿美元扩建日本广岛HBM工厂，计划2028年量产出货

当地时间7月4日，美光科技为其日本广岛工厂的扩建项目举行奠基仪式，这项总投资1.5万亿日元（约合93亿美元）的先进存储芯片产能项目正式启动。项目聚焦高带宽存储器（HBM）等高端存储产品的量产，旨在承接AI产业爆发带来的旺盛需求。

（Bloomberg对美光扩建的报道）

按照规划，生产设备的交付与安装工作计划于2028年下半年启动，产线预计2028年夏季前后开始量产出货。日本经济产业省将为项目提供最高5000亿日元的补贴，分担建设成本。

广岛与美光深度绑定

广岛工厂是美光HBM技术的核心制造基地，美光首片用于人工智能核心存储的HBM量产晶圆便产自这里。该工厂前身为日本本土DRAM制造商尔必达的生产基地，2013年美光收购破产的尔必达后接管该厂，并持续推进技术升级。

美光日本分公司代表董事野坂浩太表示：“广岛工厂的核心优势在于能够快速向客户交付尖端高性能产品，在此研发下一代芯片与美光的全球战略深度绑定。”目前工厂所需芯片材料约80%来自日本本土供应商，依托日本成熟的半导体材料与设备产业体系，扩建后的产线将进一步提升 AI 服务、自动驾驶领域所需芯片的功率效率与数据传输效率。

存储巨头纷纷扩产

美光的扩产动作，是全球存储芯片厂商抢抓AI算力需求的缩影。近期韩国两大存储巨头三星电子、SK海力士均公布了规模空前的产能扩充计划，全球HBM高端存储市场的竞争日趋白热化。

三星电子于2026年6月29日披露大规模本土投资蓝图，在半导体领域重点加码HBM等高端存储产能。在韩国忠清地区，三星投入140万亿韩元，规划建设下一代HBM生产中心，同步布局先进半导体封测产线，完善从DRAM制造到3D封装的全链条产能。

技术与节奏上，三星2026年2月已在忠南天安园区率先启动HBM4大规模量产，成为全球首家实现该产品商业化的厂商；其2026年全年半导体资本开支升至110万亿韩元，同比增长21.7%，新增产能重点向HBM、高端DRAM与先进代工倾斜，新增产能预计2027年后分批释放。

SK海力士则采取NAND与HBM双线扩产的策略。本周早些时候，SK海力士宣布计划投资80万亿韩元（约合514.6亿美元），在韩国忠清北道清州市新建一座NAND存储芯片工厂，进一步扩大闪存产能规模。

在HBM领域，公司新一代HBM4产品预计2026年下半年启动大规模出货，配套英伟达下一代AI计算平台。长期产能规划上，公司整体目标是到2030至2031年将DRAM晶圆月产能从当前的约55万片提升至100万片，2034年实现总晶圆产能达到当前的3倍。

日本半导体复兴战略

美光项目落地的背后，是日本近年全力推动半导体产业复兴的整体战略。自2021年以来，日本已拨出数百亿美元资金支持半导体与人工智能产业发展，将两大领域定位为关乎国家安全的核心战略产业。2026年6月，日本首相高市早苗发布产业发展路线图，计划到2041年3月，吸引101.6万亿日元的私人与公共投资进入芯片和人工智能领域，重塑日本在全球半导体产业中的地位。

(Financial Times对日本投资路线的报道)

在政策落地层面，日本通过高额补贴、开放招商的方式吸引全球芯片企业赴日布局。针对美光广岛扩建项目，日本经济产业省提供最高5000亿日元的建设补贴；连同研发支持资金在内，日本政府迄今已向美光累计提供约7750亿日元的扶持资金。

日本经济产业大臣赤泽亮正出席仪式时表示，美光作为目前日本境内唯一的DRAM制造商，其在日投资具有“无可估量的战略价值”；如果其他海外芯片制造商有意在日本建厂，日本政府愿“竭尽所能”提供支持。

赤泽亮正指出，半导体不仅支撑数字化转型与绿色转型的实现，从经济安全角度看更是极其重要的战略材料。随着AI时代到来，半导体需求预计将快速增长，建立本土半导体制造基地、保障供应链稳定，是日本半导体产业政策的核心目标。