中微半导体首创刻蚀技术，引全球行业巨头“抄作业

近日，被誉为“中国刻蚀机之父”的中微半导体董事长尹志尧做客央视财经《对话》栏目，分享了中国半导体设备从打破垄断到引领全球的创新突围之路。

在节目中，尹志尧自豪地透露：“我们首创了甚高频去耦合反应离子刻蚀技术，后来国际三大设备公司都按这个方向做，现在100%的CCP（电容耦合等离子体）刻蚀机都在用这个方法。”这一“中国首创”技术不仅打破了国外在刻蚀机领域的长期垄断，更迫使全球行业巨头纷纷“抄作业”，成为了全行业的通用标准。

20多年前，全球等离子体刻蚀机市场被美国泛林、应用材料和日本东京电子三巨头牢牢把控，占据90%以上的市场份额。2004年，60岁的尹志尧毅然放弃在美国的百万年薪与顶尖公司高管职位，带着数百项专利的技术积累回国创业。

回国之初，为了规避敏感的技术纠纷，尹志尧要求所有团队成员签字画押，不带任何文件，使用全新的计算机，完全“从一张白纸开始”。凭借在行业深耕数十年的技术沉淀，尹志尧确立了“技术创新、产品差异化、知识产权保护”三大核心原则。他坚信：“过去能想出来，现在就能想出更好的，我们绝不重复国外的技术，一定要有创新。”

中微公司最具里程碑意义的突破，便是自主研发出甚高频去耦合反应离子刻蚀技术。这项技术解决了传统刻蚀机在精度与效率上的平衡难题，彻底重构了等离子体的控制精度。仅用三年时间，中微就打破了国外的技术垄断，而国际三大设备公司在三年后也全部转向了这条技术路线。

此外，中微首创的“双台机设计”同样写进了行业教科书。该设计实现了单台设备同时刻蚀两片硅片，不仅材料节省30%以上，且成本更低、性能更稳定。2007年，中微推出首台双反应台国产刻蚀设备，以远低于国际供应商的售价和更优的性能，硬生生在垄断市场中撕开了一道口子。

尹志尧回忆，创业初期曾向中芯国际创始人张汝京寻求支持。面对国产设备试错的风险，张汝京带头“吃螃蟹”，表示：“试新的设备一定会有风险，这个时间成本我们来负责。”正是这份包容与信任，让中微设备快速完成验证迭代。尹志尧透露，目前中芯国际的设备中至少有800台来自中微。

这种紧密的产业协同，催生了惊人的“中微速度”。2023年12月，中微决定进军此前17种核心工艺设备全部依赖进口的大平板显示设备领域。按行业经验，开发一台重达150吨、两层半楼高的超大平板设备至少需要3到7年，但中微团队仅用12个月就做出设备并实现运转，18个月便运抵生产线，两年内实现核准投产。尹志尧自信地表示：“我们现在有能力做最先进的设备。”

从60岁归国到82岁恢复中国国籍，尹志尧用22年时间将一家初创公司打造成市值超2000亿元的行业标杆。面对未来，中微公司正加速向平台化转型，计划在五年左右覆盖60%以上的集成电路高端关键设备。尹志尧呼吁更多下游客户给予国产设备机会，因为“如果没有人使用，设备永远不会进步”。