三星西安厂已量产第八代236层NAND闪存

三星电子已在其位于中国西安的工厂开始量产第八代236层NAND闪存（V8），这标志着该公司向更高层数存储器转型迈出关键一步，以满足人工智能（AI）应用日益增长的需求。

三星已使用236层产品取代原有的第六代128层NAND闪存（V6），并正在逐步提高产量。此次转型反映了老一代NAND产品被逐步淘汰。

通过堆叠存储单元实现更高的层数，可以提高存储密度和效率。三星此前一直在西安工厂生产128层NAND闪存，但随着市场对旧产品的需求疲软，该公司开始向新技术转型。

三星计划在2026年之前完成西安第二工厂向第九代286层NAND闪存（V9）的过渡，并开始全面量产。该公司还在其韩国工厂准备生产400层以上的下一代NAND闪存（V10）技术。

据G-enews援引监管文件和行业数据报道，三星2025年在西安NAND闪存生产线投资4654亿韩元（约合3.2亿美元），较上年增长67.5%。该工厂的产能约占三星NAND闪存总产量的40%，也是其唯一的海外NAND闪存生产基地。

业内人士表示，供应趋紧，一些估计表明DRAM和NAND闪存的计划产量已基本售罄。瑞银预测，在AI相关需求的推动下，到2026年，全球半导体市场规模可能超过1万亿美元。

三星加速转型也反映了地缘政治和供应链方面的制约因素。业内人士表示，美国收紧对中国先进半导体设备出口的限制，使得将尖端设备引入中国变得更加复杂。

尽管三星拥有“认证最终用户”（VEU）资格，在设备出货方面享有一定的灵活性，但现在必须每年重新获得审批，这增加了运营的不确定性。

与此同时，用于AI基础设施的企业级固态硬盘（SSD）需求持续增长，推动了对更高性能NAND闪存的需求。（校对/赵月）