传北方华创攻克90:1深孔刻蚀，可助300层3D NAND制造

根据瑞银（UBS）近日的一份报告，中国半导体设备龙头企业北方华创（NAURA）在90:1高纵横比（High Aspect Ratio, HAR）深孔刻蚀技术上取得重大进展，将有望支持300层以上3D NAND闪存的制造。

3D NAND技术是当前存储芯片发展的核心方向。为提升存储密度，厂商不断堆叠存储单元层数——从早期的64层、128层，到如今的200层以上，并加速向300层甚至更高演进。

这如同建造一座数百层的“摩天大楼”，而要让每一层之间实现电气连通，就必须通过深孔刻蚀设备在几微米厚的多层材料中垂直打通直径仅几十纳米的“电梯井”。随着层数增加、孔径缩小，深宽比（即深度与直径之比）迅速攀升。

对于300层以上的NAND，深宽比需达到90:1甚至100:1，这对刻蚀精度、均匀性、垂直度和工艺稳定性提出了极致要求，被公认为半导体制造中最苛刻的工艺之一。

长期以来，此类高端刻蚀设备市场由美国泛林（Lam Research）、日本东京电子（TEL）等国际巨头垄断。然而，在美国对华实施半导体设备出口管制、先进存储与成熟制程设备遭禁运的背景下，国产替代已从“可选项”变为“必选项”。北方华创此次技术进展，正是在这一战略窗口期的关键突破。

值得一提的是，国内另一家刻蚀龙头中微公司此前已宣布实现90:1深孔刻蚀能力，并正攻关100:1技术。

瑞银分析指出，若北方华创成功获得国内NAND晶圆厂订单，将打开数亿乃至数十亿美元的新增市场空间。同时，考虑到中国本土逻辑芯片厂商对先进制程设备需求持续旺盛，其来自逻辑客户的收入亦有进一步增长潜力。

基于此，瑞银已将北方华创2026年和2027年的晶圆厂设备（WFE）收入预测分别上调1%和8%。

事实上，北方华创的布局远不止于NAND。12月4日，公司在投资者互动平台透露，随着HBM（高带宽内存）市场需求爆发，相关工艺设备需求激增。公司已在HBM芯片制造领域提供深硅刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、电镀等多款核心设备，形成完整解决方案。

同时，面对投资者关于“美系设备断供下订单情况”的提问，公司回应称：“存储设备和成熟制程设备订单保持良好态势，产品已广泛应用于国内主流芯片厂商生产线。”

当前，AI、云计算等新兴应用正推动存储芯片进入新一轮扩产周期，行业供需缺口明显。据业内预测，2025—2027年全球HBM产能将增长超300%，而中国作为全球最大存储消费市场，本土化制造需求迫切。北方华创等国产设备商正站在历史性机遇的风口。

责编：Jimmy.zhang