三星电子筹备量产HBM4芯片，2026年营业利润或超100万亿韩元

三星电子已完成第六代高带宽存储器（HBM4）的研发，并内部完成了量产前的最后阶段——生产准备就绪认证（PRA）。

据半导体行业消息人士12月3日透露，三星电子半导体DS事业部近日完成HBM4的PRA阶段，这是内部质量验证的最终阶段。PRA是一项内部指标，用于证明产品的良率和性能已达到量产标准。三星电子通过将10nm级第六代（1c）DRAM芯片与采用其代工部门4nm逻辑工艺制造的基础芯片相结合，克服了发热和速度方面的技术挑战。此次PRA的批准表明，三星电子已进入新阶段，其制造竞争力不再仅仅停留在研发阶段，而是能够直接转化为盈利能力。

三星的业绩预计将大幅增长。金融投资行业预计，该公司2026年的年度营业利润将接近或超过100万亿韩元，创历史新高。具体来看，2025年度营业利润预计在40万亿~42万亿韩元之间。证券公司预计，三星2026年的营业利润将达到至少84万亿~105万亿韩元，比今年增长2~2.5倍。尤其值得一提的是，预计仅DS部门2026年的营业利润就将达到77万亿~93万亿韩元。

三星电子营业利润大幅增长的背景在于HBM市场格局的转变。从2026年下半年开始，HBM市场将迅速从现有的第五代（HBM3E）过渡到第六代（HBM4）。预计三星电子明年的HBM出货量将达到105亿Gb，比今年增长约三倍。这将形成一个利润率显著提升的格局，随着高附加值产品HBM4占比的增加和技术完善度的提高，利润率也将大幅提升。

三星电子的业绩前景一片光明，因为即使产品价格上涨，市场需求也并未下降。近期有消息称，三星电子预计将把HBM4价格定在约为每件500美元，这比目前主流的HBM3E（约370美元）高出约50%。预计这将产生一种性能杠杆效应，即销量和价格同步上涨，这与明年HBM4市场的全面爆发不谋而合。

除了HBM之外，通用内存市场的供应短缺预计也将提振三星电子的业绩。业内人士预计，2026年服务器DRAM的需求（比特增长）将比今年增长35%。然而，普遍认为供应增长将仅限于23%。全球大型科技公司和人工智能（AI）服务器制造商已开始提前采购。11月份服务器DRAM的固定价格环比上涨约25%，就是典型的例子。由于三星电子将其有限的晶圆产能集中用于高利润的HBM和服务器DRAM，移动和PC DRAM的价格也在同步上涨。行业分析师预测，2026年第一季度通用DRAM的价格将比今年第四季度上涨超过20%。

三星电子通过同时拿下两大客户——英伟达图形处理器 (GPU) 和谷歌张量处理器 (TPU) 的HBM供应——提高了巩固其供应商优势市场的可能性。三星已完成向包括谷歌和英伟达在内的大型科技客户提交HBM4样品，迄今为止，在流程阶段尚未发现任何特殊的质量问题。

观察人士认为，三星电子最早可能在12月获得英伟达的最终质量认证 (Qual)。然而，多位业内人士一致认为，2026年初获得认证的可能性更大。他们表示，结合英伟达下一代AI加速器Rubin的发布计划，最终认证将在明年第一季度完成，届时产品将获得全面的质量验证。

业内人士表示：“AI内存市场正面临极其严峻的供应短缺，以至于竞争对手们纷纷表示，明年全年的产能预订已全部排满。三星电子凭借通过PRA认证，并将于明年加入HBM4的量产行列，不仅彰显了其卓越的制造竞争力，更将一举两得——既验证了自身的技术实力，又可通过压倒性的量产规模实现可观盈利。”（校对/赵月）