罕见！三星电子向HBM4团队发放5亿韩元库存股绩效奖金

三星电子破例向下一代高带宽存储器（HBM）研发的关键人员授予库存股绩效奖金。这是对他们为HBM4（第六代HBM）核心芯片——10nm第六代DRAM（1c DRAM）的研发所做贡献的特别奖励。业内人士表示，在重建这家存储巨头的关键时刻取得的显著成果促使公司立即给予奖励。

三星电子宣布，将向30名高管和员工授予4790股普通股，作为研发项目目标达成的奖励。根据授予日（10月31日）三星电子的收盘价计算，授予他们的库存股总价值为5.1492亿韩元（约合人民币253万元）。授予的股份数量根据员工的绩效而有所不同。

三星电子向特定研发团队授予库存股实属罕见。此举被视为对该研发团队的奖励，感谢他们提升了应用于HBM4的第六代DRAM的性能和质量。HBM采用垂直堆叠DRAM技术制造。第六代DRAM是决定HBM4性能的核心组件。2024年5月上任的设备解决方案（DS）事业部总裁（副董事长）全永铉（Jun Young-hyun）将向英伟达供应HBM4列为首要任务，并下令重新设计第六代DRAM。该DRAM于2025年7月通过了三星内部性能测试（PRA），目前已作为HBM4样品提供给英伟达。

据报道，与上一代HBM3E不同，英伟达对HBM4的评价积极。英伟达表示，“三星电子是英伟达HBM3E和HBM4供应链的关键合作伙伴。”三星电子通过抢先推出第六代DRAM，实现了业界最高的11Gbps数据传输速度。

三星电子正在加速向第六代DRAM过渡，以重夺HBM市场的主导地位。三星电子存储器事业部副总裁Kim Jae-june在第三季度财报会议上重申了HBM4量产的承诺，并表示：“我们将积极进行必要的投资，以扩大第六代DRAM的产能。”（校对/赵月）