三星2纳米GAA制程突破，Exynos 2600性能超群

韩国三星电子近日在先进半导体技术领域展现出强劲的信心，公司高层对其2纳米GAA（Gate-All-Around）制程的发展进度表达了高度乐观。据朝鲜日报报道，在总统办公室政策首席Kim Yong-beom主持的一场关于半导体产业议题的会议中，三星设备解决方案部门总裁兼技术长Song Jae-hyuk对2纳米GAA制程给予了诸多正面评价。

相较于前几年三星晶圆代工业务表现不佳，导致台积电占据了市场大部分份额的情况，目前看来三星终于有所转变。报告指出，三星已将其2纳米GAA的良率目标从原定的50%大幅提高至70%，并预计在2025年底达成。知情人士透露，这些在高层会议上发表的言论表明，三星正顺利实现其规划的2纳米制程良率和芯片性能目标。

Song Jae-hyuk在会议中暗示了其雄心壮志，希望借由2纳米GAA节点的成功，最终能在全球晶圆代工市场上夺取第一名。不过，他也坦言，在追赶台积电以及应对特定技术与人力资源等挑战时，公司需要政府提供庞大的支持。

为确保其在下一代节点中的竞争力，三星已付出了必要的努力。据悉，三星已经完成了第二代2纳米GAA制程的基本设计，同时代号为SF2P+的第三代2纳米GAA制程也预计在未来两年内完成开发。

三星首款采用2纳米GAA技术的芯片将是自研的SoC-Exynos 2600。初步的内部测试结果显示，Exynos 2600的性能表现非凡，在多项测试中轻松击败了竞争对手苹果的A19 Pro和高通的Snapdragon 8 Elite Gen 5。更值得注意的是，测试数据揭示其AI性能比A19 Pro和Snapdragon 8 Elite Gen 5高出六倍。尽管商业化产品的实际结果可能有所不同，但业界普遍期望三星的2纳米GAA技术能够带来实质性的效益。

此外，SK海力士企业总裁Song Hyun-jong也强调，2纳米GAA制程技术将成为一个“关键的转捩点”。目前，2纳米GAA制程技术的晶圆量产已于9月下旬启动，首款采用此技术的芯片为即将问世的三星自研SoC-Exynos 2600。

综合来看，三星在2纳米GAA制程技术上的突破不仅标志着其在半导体领域的重大进展，也为全球晶圆代工市场的竞争格局带来了新的变数。随着技术的不断成熟和良率的提升，三星有望在未来几年内显著提升其在全球半导体市场中的地位。