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为什么 ESD 测试能过,但实际应用还是被击坏?

2025-09-03 来源: 作者:深圳辰达半导体有限公司
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关键词: ESD测试 实际环境差异 浪涌防护 器件选型 PCB布局

在电子产品的开发过程中,静电放电(ESD)测试往往是 EMC 测试中的重要环节之一。很多客户反馈:样机在实验室中按照 IEC 61000-4-2 标准进行 ESD 测试能够顺利通过,但产品在实际使用场景中仍然会出现接口失效、芯片损坏甚至整机死机的情况。这种现象让工程师感到困惑:既然实验室已经验证通过,为什么实际环境中仍会被静电或浪涌击坏?


一、标准测试与实际环境的差异

IEC 61000-4-2 标准规定了接触放电和空气放电两种方式,其电压等级、波形、能量大小都是固定的。但在真实应用中,环境电荷累积方式千差万别:

用户走动带电、干燥环境放电,可能导致电压远超实验室设定;

插拔接口时,连接线缆长度不同,寄生电感电容不同,产生的尖峰电流和电压幅度更复杂;

ESD 枪的放电点与设备壳体或接口的实际接触点并不完全一致。

因此,实验室的测试环境往往是“理想化”的,而真实场景下的冲击更复杂、更不可控。


二、ESD 与浪涌、雷击的混淆

很多客户把“ESD 防护”和“浪涌防护”混为一谈。实际上,两者在能量和时域特性上差别很大:

ESD:ns 级脉冲,电压高但能量低;

浪涌/雷击:μs~ms 级脉冲,能量极大。

实验室 ESD 测试能过,只能说明器件能承受小能量的瞬态冲击,但在户外应用或电源干扰中,如果遭遇雷击感应浪涌,单靠 ESD 管是远远不够的,往往需要 TVS、压敏电阻或气体放电管等多级保护。


三、器件选型存在偏差

常见的误区是只看静电二极管的“IEC 等级”,忽略了关键参数:

钳位电压过高 → 芯片仍可能被击穿;

结电容过大 → 信号质量下降,设计被迫退而求其次选用不合适的型号;

通流能力不足 → 遇到多次放电或组合干扰时,ESD 管容易隐性损伤。

正确的做法是根据接口类型(高速信号、电源口、低速 GPIO)分别选用低电容或大通流的防护器件,而不是“一种 ESD 管通用所有接口”。


四、PCB 布局与接地回路问题

即便器件选型正确,如果布局不合理,防护效果也会大打折扣。

如果 ESD 管没有紧贴接口放置,静电电流会先经过芯片引脚再进入防护器件,形同虚设;

如果接地回路过长或过细,等效电感过大,会导致钳位失效;

如果多层板没有通过地过孔快速泄放电流,电流可能沿着电源线耦合到其它敏感电路。

因此,ESD 防护不仅仅是“加一个二极管”,而是整个 PCB 走线、地层设计和防护器件的协同优化。


五、隐性损伤的累积效应

有时产品在实验室测试中能承受几次放电,但在实际应用中经过多次冲击后,ESD 管的漏电流会逐渐上升、钳位电压漂移,形成“隐性失效”。这种损伤在功能上可能一时不显现,但长期运行后会导致接口性能下降或彻底损坏。


ESD 测试能过,并不代表产品在真实环境下就绝对安全。实验室测试验证的是器件在标准条件下的抗扰度,而实际应用中还需综合考虑 环境差异、浪涌干扰、器件选型、PCB 布局以及长期可靠性。作为MDD辰达半导体的FAE,我们常建议客户采用 多级防护策略:前端用 GDT/MOV 吸收大能量,中间用 TVS 钳位,最后用 ESD 管保证接口芯片安全。同时,必须优化 PCB 走线和接地设计,才能在真实环境中真正做到可靠防护。




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