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华为麒麟9000S:等同三星7nm,台积电7nm,英特尔10nm
2023-09-13 来源: 科技专家
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关键词: 三星 台积电 华为

众所周知,我们说一款手机芯片时,大概率会提到它是什么工艺,谁制造的。比如即将发布的iPhone15,搭载苹果A17芯片,采用台积电3nm工艺。


这个工艺数字越小,一定程度上会说这款芯片越先进,比如大家就很明显的认为:3nm>5nm>7nm>10nm>14nm。



不过大家要注意的是,这个多少纳米工艺,有时候是不能横向比较的,只能纵向比较,比如台积电的5nm和三星的5nm,可能并不是一回事。


三星的5nm,也未必就一定比英特尔的7nm强,这是因为现在的XX纳米,已经与以前不一样了,以前的芯片工艺,是取决于晶体管的栅极长度,长度是多少,则工艺是多少。


但后来晶圆厂们,已经不按这个来了,台积电高管就曾公开承认过,XX纳米只是数字游戏,大家不必太认真,晶圆厂们喜欢将数字搞小一点,是为了营销。



所以,目前很多专业人士,评价芯片工艺时,一般还会参考晶体管密度。因为芯片由晶体管组成,同样面积下,晶体管越多,密度越高,性能就越强。


上图,就是台积电、三星、英特尔这几大厂商在不同工艺下的晶体管密度,差距一目了然,三星的掺水最严重,特别是在7nm之后,三星的芯片晶体管密度,差了好远,而台积电次之,英特尔的最严格,密度最高。



那么问题来了,最近华为的麒麟9000S芯片,如果用晶体管密度来算的话,究竟是什么工艺水平呢?毕竟网友们实在是太关心这个事情了。


国外机构发布了麒麟9000S电镜扫描结果,其晶体管密度为0.98BTr/mm²,也就是0.98亿个每平方毫米。对照上图,很容易就出来了,大约是台积电7nm、三星7nm的水平,甚至密度还高那么一丝丝了。


如果要与英特尔的比的话,从晶体管密度来看,只等同于英特尔的10nm,甚至还略微的逊色一筹。



这基本可以说明,这是一颗7nm的芯片,并且其技术水平,与三星、台积电的7nm水平差不多,毕竟晶体管密度也差不多。


相信这个结果,已经能够帮大家解答很多疑惑了,而7nm也是DUV光刻机制造芯片的极限,采用DUV光刻机,使用多重曝光工艺,最高能够制造7nm芯片。