长鑫存储G5平台量产！DRAM工艺微缩到11.95纳米
9月20日，在2026年世界制造业大会上，长鑫存储正式宣布其第五代DRAM技术平台（G5平台）已进入量产阶段。与此同时，基于该平台开发的24Gb LPDDR5X产品也正式亮相，并进入规模量产。
对DRAM制造而言，工艺微缩直接决定存储密度、晶圆产出效率和产品成本结构。G5平台的落地，意味着长鑫存储在高端DRAM工艺路线上又向前迈了一步，也为其后续面向智能手机、便携式消费电子等市场提供更高容量、更低功耗的存储方案打下基础。
工艺指标背后：微缩、密度与制造效率
从公开信息看，G5平台的关键变化集中在三个维度：更细的线宽微缩、更高的结构集成度、更强的制造效率。
该平台通过四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近当前全球顶尖DRAM量产平台的工艺水平。与此同时，存储电容深宽比达到45:1，核心功能区高度缩小至6762纳米。这些数字指向的是同一个结果——在相同面积内放入更多存储单元，同时保持电气性能和可靠性。
更直接的影响体现在晶圆产出上。相比第四代平台，G5平台每片晶圆可产出的裸片数量提升至少50%。对存储产业来说，这意味着单位成本下降空间更大，也为后续产品迭代提供了更充足的产能基础。
不只是“缩小”，更是研发方式的变化
G5平台的一个值得关注的细节，是长鑫存储在研发流程中引入了数字孪生系统。这套系统覆盖设计、开发、制造和维护等环节，相当于在虚拟环境中搭建先进DRAM工艺模型，提前验证工艺路径，从而缩短研发周期。
在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等核心工艺上，G5平台也实现了突破。配合适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，平台在降低漏电、提升电容性能和优化器件尺寸之间寻求更平衡的方案。
换句话说，G5平台并不只是把结构做小，而是在工艺模块、材料体系和研发方法上同步升级。
24Gb LPDDR5X量产：从工艺到产品的落地
工艺突破最终要落到产品上。此次展出的两款LPDDR5X产品单颗容量均为24Gb，较上一代同类产品提升50%，分别采用496Ball和245Ball封装规格，适配中高端智能手机和便携式消费电子等应用场景。
目前，这两款产品已进入规模量产阶段。对终端客户而言，更直观的感受是在相近体积下获得更高容量，或在相同容量下获得更好的能效表现。
长鑫存储表示，未来将继续面向全球市场需求推进技术迭代。G5平台的量产，可以看作其高端DRAM路线上的一个新节点；而真正的考验，仍在于后续能否持续保持良率、产能和成本竞争力，并在更广泛的存储市场中形成稳定供给能力。
