三星电机联手高通开发2.1D“有机桥”先进封装
9月15日，韩国电子产业媒体TheElec爆料称，三星电机（Samsung Electro-Mechanics）正与美国高通联合开发面向人工智能芯片的“有机桥”（Organic Bridge）先进封装技术，双方针对嵌入了有机桥的FC-BGA基板进行性能与可靠性验证已超过一年。高通考虑将这项技术用于数据中心大型多裸片半导体产品。
（TheElec报道标题）
事实上，高通早在2024年10月就申请了“互连桥”（Interconnect Bridge）相关专利，并于今年3月在韩国招募有机桥封装研发人员，布局已久。
今年9月9日至11日，三星电机在KPCA Show 2026展会上首次公开展示了2.1D封装基板技术，但官方展讯中对合作客户身份只字未提，是TheElec的报道将专利、招聘与展品线索串联了起来。
值得一提的是，部分海外媒体曾误称该技术由三星电子晶圆代工部门主导制造，实际牵头方是三星电机。三星电机负责FC-BGA基板制造与有机桥嵌入，三星电子代工部门则负责封装整体性能与热机械可靠性评估，其自有的2.3D Cube-E（硅桥）与Cube-R（有机RDL中介层）技术未来可能与2.1D基板形成封装服务组合。
2.1D与2.5D有何区别？
当前AI加速器的主流方案是2.5D封装，以台积电CoWoS-S为代表：在基板之上放置一整片硅中介层，再把计算芯片与高带宽内存（HBM）排布其上。中介层由大面积硅晶圆制成，成本极高。据汇总摩根士丹利、TrendForce等机构数据的市场分析估算，H100级芯片的单颗封装成本约750美元，英伟达B200超过1100美元，硅中介层一项就占封装成本的50%–70%，且面积上限约为2700平方毫米（3.3倍光罩尺寸）。
（台积电CoWoS-S封装）
2.1D的思路是干脆取消整面硅中介层，只在裸片之间需要高密度互连的边界处嵌入微型桥接器，直接连接多颗芯片。三星电机的创新在于：桥不用硅做，而是用源自PCB工艺的有机材料（环氧等有机聚合物加铜布线）制造，预先嵌入FC-BGA基板上刻蚀出的凹槽内，再在其上安装高通的计算裸片，实现无中介层的高密度多裸片集成。
（三星电机2.1D封装展板，图源：TheElec）
按照三星电机在展板上的目标规格，有机桥含5–7层RDL（重布线层）电路，线宽与线距压缩至1.5–2μm，层间过孔直径4–5μm，裸片间布线密度目标为每毫米500–1000条。
作为对比，传统FC-BGA基板的积层布线最细仅约10μm，若只靠基板自身布线互连裸片，信号数量将严重不足；而1.5–2μm的线宽已逼近硅晶圆上的布线水平。它在功能上对标英特尔EMIB封装中的硅桥，但走的是基板制造工艺而非半导体前道工艺。
这并非全新概念——三星电机早在2024年的KPCA展会上就展示过不用硅中介层、直接连接半导体的2.1D基板技术，此次是与高通联合将其推向产品化验证。
成本与专利的双重驱动
把桥从硅换成有机材料，背后有两重现实考量。其一是成本：硅桥必须在晶圆厂用前道设备制造，而有机桥可由类PCB的RDL工艺生产，设备与制造成本显著更低。其二是专利：嵌入小尺寸桥接器连接芯片的概念由英特尔EMIB首创，2017年即已量产并积累了庞大专利组合，后来者采用硅桥方案始终面临侵权风险；有机桥以有机聚合物与铜布线为核心材料，从材料层面绕开了英特尔的硅桥专利网。
（英特尔EMIB结构）
更大的行业背景是先进封装的供需失衡。台积电CoWoS产能从2023年底每月约1.3万–1.6万片一路扩张，2026年底目标12万–13万片，但新客户预订窗口仍长达52–78周，英伟达一家就拿走了2026年约60%的产能。
这迫使全行业寻找替代路径：SK海力士已开始与英特尔探讨用EMIB封装HBM，英特尔今年4月更是宣布EMIB良率达到90%、获两家超大规模客户签约。据TrendForce此前估算，EMIB类方案成本比CoWoS低30%–40%。“桥接替代整面中介层”已成为明确的技术潮流，而有机桥是这条路上成本更低、专利风险更小的版本。
双方各取所需
对高通而言，合作意味着供应链破局。台积电CoWoS被英伟达锁定、预订窗口超过一年，而借助三星电机—三星电子代工的“基板+封装+代工”垂直链条，高通可以在三星体系内完成从设计到封装验证的闭环，为Dragonfly多裸片AI加速器争取成本与交付主动权，同时降低对单一封装供应商的依赖。
对三星电机而言，合作把基板业务从“配套元件”推向“与芯片设计联合定义”的高附加值环节。半导体基板市场预计从2024年的4.8万亿韩元增长到2028年的8万亿韩元，而与高通这样的头部无晶圆厂客户深度绑定，既能抬高FC-BGA的技术与售价天花板，也能让2.1D有机基板与三星代工的Cube-E、Cube-R封装形成完整菜单，在台积电主导的AI封装生态之外另立门户。
当然，风险同样清晰：有机材料的热膨胀系数高于硅，AI加速器长期高温运行下，微凸点键合易疲劳、基板易翘曲；1.5–2μm线宽能否在量产中保持无缺陷和高良率，仍是有待回答的问题。
