蔡司：中国EUV光刻机落后15年

德国蔡司集团半导体业务负责人弗兰克·罗蒙德（Frank Rohmund）日前在彭博电视的访谈中表示，中国在尖端芯片制造设备领域约落后15年，开发出可商用的极紫外(EUV)光刻机仍需15年，这是一个 "合理的假设"。而且，中国实际的进展“很难量化”。

作为ASML EUV光学系统的独家供应商、全球约80%芯片制造流程中都有蔡司元件参与的“隐形中枢”，蔡司的表态迅速被全球科技媒体引用。

“15年”是怎么算出来的？

要理解这组数字，先要看蔡司在产业链中的位置。蔡司为ASML EUV光刻机提供反射镜组与投影物镜，全球EUV反射镜市场近乎由其独占。一台EUV光刻机包含超过十万个精密零件，蔡司只做光学一块，但这一块的技术壁垒极高——镜面平整度若放大到德国国土大小，起伏不超过0.1毫米，单套镜组制造周期超过12个月。

罗蒙德的"15年"本质上是一种工程经验外推：ASML从1997年启动EUV研发到2016年交付首台量产机型，历时约二十年。以这条路径为参照，从零重建被禁运的整条供应链，十五年的量级在逻辑上是自洽的。瑞银分析师团队在同期报告中给出了平行视角：从专利活跃度判断，中国EUV技术成熟度大致相当于ASML在2004年的阶段，距稳定商用仍需十年以上。

但这一外推有一个隐含前提——假设中国必须复刻ASML走过的完整路径。这个假设是否成立，是整场争论的核心分歧点。

中国侧的实际进展：分段式而非线性

国内EUV研发的真实状态，用"落后15年"或"即将突破"都无法准确概括，更接近于一种分段式推进。

光源端出现了有实质意义的进展。中科院上海光机所林楠团队采用固体激光驱动LPP路线，实现了3.42%的13.5nm EUV光转换效率，发表于《中国激光》2025年第6期封面。这一数字约为商用ASML CO₂激光驱动光源效率（约5.5%）的六成。路线差异同样关键——固体激光方案在体积、电光效率和专利布局上与ASML的CO₂路线形成差异化，理论上存在绕开部分专利壁垒的空间。不过，从实验室的3.42%到量产所需的250W级稳定功率输出，中间仍有数量级的工程差距。

整机端处于"原理验证已过、工程爬坡刚开始"的阶段。上海微电子基于LDP路线的EUV原型机已有行业媒体披露进入试产阶段；2025年工博会亮相的两镜投影微场曝光装置，证明了光路、反射成像与真空环境在工程上可行。但对照ASML量产机型的功率、产能和良率门槛，国产原型机目前公开的参数仍处在"能曝光"和"能稳定量产"之间的长斜坡上。

DUV浸没式反而可能是更早兑现的环节。瑞银判断中国有望在2至5年内具备浸没式DUV大规模量产能力，这将为国产设备提供现金流和产线数据闭环，反过来支撑EUV的研发迭代。

真正的分歧：路径不同，时间轴也不同

"15年论"与"国产突破论"之间的冲突，根源在于双方讨论的其实不是同一件事。

蔡司和瑞银的估算，衡量的是"在封锁条件下复刻ASML路径"所需的时间。这个估算有其合理性——EUV确实是人类工业史上最复杂的设备之一，不是单项技术突破就能解决的系统工程。

但中国方面走的并非"复刻"路线。固体LPP绕开CO₂专利墙、SSMB（稳态微聚束）探索千瓦级光源的换道可能、DUV浸没式先行放量形成供应链反哺——这些都是在"被切除全球供应链"的前提下重新排定的优先级。罗蒙德自己也承认"进展难量化"，恰恰是因为这套路径无法被ASML的历史经验直接对标。

更关键的是，从"做出原型机"到"稳定商用量产"之间还有巨大的工程鸿沟。ASML的优势一半来自与台积电、三星、英特尔联合调试数十年积累的制造数据——中国缺的不是原理验证，而是"产线即实验室"的迭代机会。这也是为什么行业共识将国产EUV的时间表锚定在2030年前后小批量、2030至2035年稳定量产，而非蔡司的2041年，也非部分自媒体宣称的2026至2028年。

出口管制：被低估的变量

罗蒙德访谈中另一句值得注意的话是："我们不认为这些出口限制会带来正面效果，因为这反而会加速中国的创新。"ASML CEO富凯也表达过类似观点——封锁不会削弱中国已有的能力，只会逼其自研发。

这与CSIS等智库的研究结论一致：美国此前的管制"主要影响是加速了中国国产设备的应用"。2026年4月提出的MATCH法案拟将浸没式DUV和维保服务一并纳入限制，试图进一步切断中国获取成熟制程设备的渠道。但历史经验表明，越是将对手逼入"存亡问题"的境地，自主化的动力越强——富凯的比喻是"把中国丢进沙漠，他会多久开垦出自己的菜园"。

结语

蔡司的"15年"是一个基于ASML历史路径的工程外推，有其产业依据，但前提是"中国复刻ASML模式"。中国实际走的是另一条路——在封锁中换道、用DUV现金流养EUV研发、以举国体制弥补数据闭环的缺失。两条路径的终点未必重合，时间轴自然也不同。