华尔街预判，DRAM/NAND结构性紧缺将持续至2028年末

高盛、摩根士丹利、Cantor Fitzgerald等多家机构近期发布的存储行业研判报告显示，当前全球DRAM内存、NAND闪存的供给紧张局面，或将贯穿2027年全年，直至2028年末新增产能全面达产满产后方能逐步缓解。对存储行业来说，这有望成为近年来持续时间最长、确定性最高的超级景气周期。

AI产业的高速崛起，是本轮存储产业长缺货周期的核心诱因。目前，单台AI训练服务器对DRAM内存的搭载容量，是普通商用通用服务器的8-10倍，NAND闪存的搭载量也达到传统服务器的3倍。2026年，大约66%的DRAM产能被优先供给了AI服务器赛道，传统消费电子领域可分配的DRAM产能被压缩至30%以内，行业需求重心完成根本性转移。

供需两端增速的严重错配，进一步固化了行业紧缺格局。数据显示，近两年全球DRAM、NAND的年度需求增速分别高达45%、38%，但行业整体产能供给增速仅维持在16%-17%，导致行业供需缺口持续扩大。与此同时，微软、谷歌、Meta、阿里云等海内外头部云服务商，为保障算力业务稳定落地，纷纷签订3-5年的长期供货合约，通过预付保证金的方式锁定产能与供货价格。这种大规模长协锁货导致现货市场流通货源大幅萎缩，进一步加剧了终端市场的供给紧张态势。

高盛在报告中指出，2026-2028年，全球DRAM供需缺口依次为5.0%、5.9%和3.9%；NAND闪存2026年、2027年供需缺口分别为4.4%、4.6%，2028年小幅收窄至3.0%；HBM高带宽内存紧缺程度最为突出，缺口分别为5.4%、6.0%和4.3%。整体来看，2027年很有可能将是本轮存储行业供需矛盾最尖锐的年份。

相较于持续爆发的存储需求，行业供给端受多重刚性壁垒约束，短期无法快速释放增量产能，这也是本轮紧缺周期长期化的关键。一方面，三星、SK海力士、美光三大全球存储龙头，基于盈利考量调整产能结构，将80%的先进制程产能倾斜布局HBM、DDR5等高附加值产品，直接挤压了通用DRAM、NAND的产能供给。另一方面，半导体产能建设至少需要2-3年周期，而EUV光刻机等核心核心生产设备的交付周期更是超过18个月，进一步加剧了行业短期扩产的可能性。

从新增产能落地节奏来看，2028年前行业将持续处于产能空窗期。以美光ID1新厂为代表的行业核心新增产线，最快仅能在2027年年中启动投产，且半导体产线完成产能爬坡、实现稳定量产需要12-18个月，直至2028年才能完成全面满产、实现规模化供货。与此同时，行业库存缓冲空间基本耗尽，全行业库存水位处于历史低位，完全无法对冲持续扩张的市场需求，行业紧缺格局不存在短期修复的条件。

持续的供需失衡，推动全球存储价格开启长达三年的持续性上涨行情。相关报告显示，二级市场现货价格已率先兑现上涨逻辑，2026年5月DRAM现货价格季度环比涨幅达40%，预计同年8月季度将再度实现15%的环比上涨，涨价趋势持续落地。预计进入2027年后，行业涨价节奏有所放缓，但整体依旧维持高增态势，DRAM与NAND均价同比涨幅区间预计为25%至35%，HBM凭借刚需属性延续强势行情，同比涨幅可达44%至50%。

量价齐升的行业态势，推动全球存储市场规模持续扩容。据预测，2027年全球存储产业总规模将达到1.21万亿美元，2028年进一步逼近1.4万亿美元。其中，HBM作为AI算力的核心刚需配套产品，市场规模有望从2026年的560亿美元，攀升至2028年的1680亿美元。受此影响，资本市场的估值逻辑也从行业传统沿用的P/B市净率估值模式，转向科技成长赛道主流的P/E市盈率估值。基于此，Cantor Fitzgerald等机构给出了美光1500美元、闪迪2900美元的目标股价，高度看好行业长期盈利修复与增长空间。

总体而言，综合各大投行量化数据与产业产能落地节奏，在2028年末新增产能全面释放之前，全球DRAM、NAND行业将长期维持“需求高增、供给受限、库存低位、价格上行”的结构性紧平衡格局。