新型NAND闪存抗辐射能力达传统闪存30倍

近日，据《科技日报》报道，美国佐治亚理工学院电气与计算机工程学院Asif Khan团队宣布，成功研制出基于氧化铪铁电材料的新型NAND闪存。该产品兼具AI高效处理与太空极端辐射耐受能力，抗辐射性能达传统NAND闪存的30倍，相关成果已于5月18日发表于美国化学会《纳米快报》（Nano Letters）杂志。

传统NAND闪存依赖电荷捕获存储数据，太空环境中的高能粒子辐射易导致电荷流失，引发数据损坏，通常在3万拉德辐射剂量下即失效，难以满足深空探测与太空AI任务需求。此次研发的新型铁电NAND闪存，核心突破在于采用与硅工艺完全兼容的氧化铪（HZO）铁电材料，利用其自发极化及电场可控翻转特性存储数据，从底层原理上规避了电荷辐射敏感问题。

测试数据显示，这款铁电NAND闪存可承受**100万拉德**的辐射吸收剂量，相当于1亿次医用X射线照射，是传统存储器辐射耐受性的30倍。该指标已覆盖近地轨道、月球探测及木星以远深空任务的辐射环境要求，可支撑NASA欧罗巴快船等深空探测项目的长期稳定运行。同时，其铁电存储机制具备低功耗、高读写速度优势，可高效适配AI推理与数据处理需求，为太空边缘计算提供存储支撑。

项目负责人Asif Khan表示，铁电NAND闪存的核心价值在于“存储+抗辐射+AI适配”三重能力集成。不同于传统辐射加固方案的高成本与性能损耗，该技术基于现有硅工艺线即可量产，兼具成本与规模化优势。凭借氧化铪铁电层与硅基底的兼容性，未来可实现3D堆叠，支撑更高容量存储需求，适配卫星星上处理、深空探测器、太空AI服务器等场景。