JSM5N50D 500V N 沟道 MOSFET

一、杰盛微：专注核心技术，铸就可靠品质

深圳市杰盛微半导体有限公司（JSMSEMI）是一家专注于模拟芯片、功率器件及传感器研发与制造的高新技术企业。公司成立于 2017 年，核心研发团队由博士、硕士组成，拥有丰富的行业经验与技术创新能力，掌握多项国内领先的关键核心技术。

自成立以来，杰盛微始终坚持 “品质为先、创新为魂” 的理念，构建了完整的自主研发体系与严格的质量管控流程。公司已通过 ISO9001:2015 质量管理体系认证，所有产品均符合 SGS 报告标准与 RoHS 环保要求，从研发设计、生产制造到成品测试，全流程严控品质，为全球客户提供高可靠性、高性价比的半导体产品与解决方案。

目前，杰盛微产品线覆盖霍尔传感器、驱动 IC、电源管理 IC、MOSFET、IGBT 等全品类功率半导体器件，广泛应用于工业控制、汽车电子、光伏储能、消费电子等领域，凭借稳定的性能与优质的服务，赢得了国内外客户的高度认可。

二、JSM5N50D 核心特性：五大优势，定义高压 MOS 新标杆

JSM5N50D 是杰盛微针对中高压开关场景量身打造的 N 沟道功率 MOSFET，采用行业主流的 TO-252 贴片封装，兼具高耐压、低损耗、快开关、强可靠、小体积五大核心优势，完美适配高压、高效、高功率密度的应用需求。

 超高耐压，适配高压场景

作为高压功率器件，500V 超高漏源电压（V_DSS） 是 JSM5N50D 的核心基础参数，可稳定工作在 400V 级高压系统中，有效抵御电压浪涌与冲击，避免器件击穿损坏。同时，其栅源电压（V_GSS）支持 ±30V，适配主流驱动电路设计，无需额外配置复杂的电压保护电路，简化系统设计的同时降低成本。

 低导通损耗，高效节能

导通电阻（R_DS (on)）是衡量 MOSFET 导通损耗的核心指标，直接决定系统能效高低。JSM5N50D 在 VGS=10V、ID=2.5A 条件下，最大导通电阻仅 1.4Ω，典型值更低，可显著降低导通时的功率损耗，减少发热，提升系统转换效率。在高频开关电源、逆变器等场景中，低导通损耗的优势尤为突出，助力设备轻松满足严苛的能效标准。

 超低栅极电荷，开关速度快

栅极电荷（Qg）是影响 MOSFET 开关速度与驱动功耗的关键参数。JSM5N50D 搭载杰盛微自研的低电荷工艺，总栅极电荷典型值仅 13nC，最大值 17nC，远优于同级别高压 MOSFET 产品。低栅极电荷意味着驱动电路只需消耗极小的能量即可实现器件的快速开通与关断，开关延迟时间短（开通延迟典型 13ns、关断延迟典型 25ns），可适配高频工作场景，大幅降低开关损耗，提升高频稳定性。

 全维度可靠设计，工业级稳定性

可靠性是功率器件长期稳定工作的核心保障，JSM5N50D 从设计、工艺到测试，全流程强化可靠性设计：

• 100% 雪崩测试：出厂前均经过雪崩能量测试，单脉冲雪崩能量达 270mJ，抗浪涌、抗冲击能力强，可承受感性负载断电时的瞬时高压冲击；

• 宽温工作能力：最大结温达 150℃，存储温度范围 - 55℃~+150℃，可在 - 40℃~125℃的严苛环境下稳定工作，适配工业、汽车电子等高温场景；

• 优异热特性：结到壳热阻仅 3.45℃/W，结到环境热阻 110℃/W，配合 TO-252 封装底部散热焊盘设计，可快速将热量传导至 PCB 板，有效降低结温，避免过热损坏，保障高功率场景下的长期稳定性；

• 低漏电设计：零栅压漏极电流（I_DSS）≤1μA（VDS=500V），待机功耗极低，助力设备实现低功耗运行。

TO-252 封装，小体积适配高密度设计

JSM5N50D 采用TO-252 贴片封装，尺寸小巧（约 6.1mm×6.6mm×2.3mm），占用 PCB 面积小，适配高密度电路布局设计。三个引脚清晰定义（1 脚栅极 G、2 脚漏极 D、3 脚源极 S），底部自带大面积散热焊盘，可直接焊接在 PCB 板上，兼顾大电流输出与高效散热功能。同时，贴片封装支持自动化回流焊，适合批量生产，有效降低生产工艺成本，缩短交付周期。

三、核心参数详解：硬核配置，性能一目了然

1. 绝对最大额定参数（Ta=25℃）

参数	符号	数值	单位
漏源电压	V_DSS	500	V
漏极电流（25℃）	I_D	5.0	A
漏极电流（100℃）	I_D	2.2	A
栅源电压	V_GSS	±30	V
单脉冲雪崩能量	EAS	270	mJ
功耗（Tj=25℃）	P_D	25	W
最大结温	Tj	150	℃

2. 关键电气参数（Ta=25℃）

参数	典型值	最大值	单位	测试条件
导通电阻 R_DS (on)	-	1.4	Ω	VGS=10V、ID=2.5A
总栅极电荷 Qg	13	17	nC	VDS=400V、VGS=10V、ID=5A
输入电容 C_iss	620	-	pF	VDS=25V、VGS=0、f=1.0MHz
反向恢复时间 Trr	215	-	ns	I_S=5A、VGS=0V

3. 热特性参数

参数	典型值	单位
结到壳热阻 RθJC	3.45	℃/W
结到环境热阻 RθJA	110	℃/W

四、多元应用场景：一 “管” 多能，适配全场景需求

凭借500V 高耐压、低损耗、快开关、强可靠、小体积的综合优势，JSM5N50D 可广泛应用于各类中高压功率电子场景，覆盖工业控制、新能源、消费电子、智能家电等多个领域，是高压开关、电源转换、电机驱动等电路的理想选择。

开关电源（SMPS）

作为主功率开关管，适配反激、LLC、PFC 等拓扑结构，应用于工业电源、服务器电源、快充适配器等设备。500V 耐压可稳定工作在 400V 直流母线系统，低导通电阻与低栅极电荷大幅提升电源转换效率，助力设备满足 DoE Level VI、CoC V5 等严苛能效标准。

 新能源与储能

适配光伏微型逆变器、光伏优化器、储能 BMS（电池管理系统）等场景。在光伏逆变器中，500V 耐压可抵御电网电压波动与浪涌冲击，快速开关特性提升 DC-AC 转换效率；在储能系统中，用于电池充放电控制电路，低损耗设计减少能量损耗，宽温特性适配户外严苛环境。

工业控制与电机驱动

应用于中小功率伺服驱动、步进电机控制、变频器、PLC 输出模块等场景。5A 连续漏极电流可满足中小功率电机驱动需求，低寄生电感特性降低开关尖峰电压，减少电磁干扰（EMI），提升系统稳定性；100% 雪崩测试确保电机感性负载启停时的可靠性，延长设备使用寿命。

消费电子与智能家电

适配 LED 驱动电源、液晶电视 / 显示器电源、UPS 不间断电源、智能家电控制板等场景。TO-252 小体积封装节省 PCB 空间，适配消费电子小型化、轻薄化设计趋势；低待机功耗助力家电满足欧盟 ERP Lot 26 等节能新规；优异开关特性保障 LED 驱动无频闪，提升使用体验。

五、选型价值：为何选择杰盛微 JSM5N50D？

在高压 MOSFET 选型中，工程师需在耐压、损耗、速度、可靠性、成本五大维度寻求平衡，而杰盛微 JSM5N50D 凭借精准的产品定位与优异的综合性能，为客户提供 “性能与成本兼备” 的最优解：

1. 性能对标国际品牌：核心参数（500V/5A、R_DS (on)≤1.4Ω、Qg=13nC）达到国际同级别产品水平，可直接替代进口品牌，打破国外技术垄断，助力客户实现国产化替代，降低采购成本；

2. 高可靠性保障长期稳定：100% 雪崩测试、宽温工作、优异热特性等设计，确保产品在严苛环境下长期稳定工作，降低设备故障率，减少售后维护成本；

3. 小体积适配高密度设计：TO-252 封装兼顾小型化与散热需求，适配消费电子、工业设备等高密度 PCB 设计场景，节省空间的同时降低 BOM 成本；

4. 本土研发 + 快速服务：杰盛微作为本土企业，具备快速响应的技术支持与售后服务体系，可根据客户需求提供定制化解决方案，缩短研发周期，加速产品上市。

六、总结

在功率电子技术快速迭代的今天，高效、高压、高可靠的功率器件已成为行业刚需。杰盛微半导体 JSM5N50D 500V N 沟道 MOSFET，以500V 超高耐压、1.4Ω 低导通电阻、13nC 超低栅极电荷、工业级可靠性、TO-252 小体积封装的硬核配置，完美契合中高压开关应用的核心需求，为工业控制、新能源、消费电子等领域提供高性价比、高可靠的国产化选择。

未来，杰盛微将继续深耕功率半导体领域，坚持技术创新，持续推出更多高性能、高可靠性的半导体产品，以卓越的技术与优质的服务，赋能全球电子产业发展，与客户共创 “芯” 未来！