窃取600项DRAM工艺，三星前工程师泄露核心技术被判7年，被罚2亿韩元

国际电子商情28日讯 据韩媒报道， 韩国首尔中央地方法院近日对一起半导体技术泄露案作出一审判决。一名56岁的三星电子前工程师全某，因向中国半导体企业泄露核心芯片制造技术，违反韩国《产业技术保护法》，被判处有期徒刑7年，并处罚金2亿韩元（约合92.38万元人民币）。

法院审理查明，全某窃取并泄露了三星电子同步动态随机存取存储器（DRAM）制造过程中约600个详细工艺步骤。涉案技术为三星电子投入约1.6万亿韩元（约合73.9亿元人民币）研发资金、历时五年全球率先研发出的10纳米级DRAM最新工艺。全某在从三星电子离职后，跳槽至一家中国半导体企业，并在此过程中主要通过手写笔记的方式，将上述关键技术信息泄露给中方。

检方指控显示，全某以提供涉案技术信息为代价，在近6年时间里从该中国半导体企业累计获利29亿韩元（约合1339.5万元人民币），其中包括合同奖励3亿韩元、价值3亿韩元的认股权等。法院在最终量刑时，将该工程师案发时在三星的薪酬偏低情况，列为了减刑考量因素。

法院认定，被泄露的技术属于韩国“国家核心技术”，全某的行为严重损害了三星电子的核心竞争力，也给韩国半导体产业安全造成了重大影响，其泄露行为让竞争对手获得了技术先发优势。

此案是去年年底韩国检方对10名三星前员工提起公诉的商业窃密系列案中的首起有罪宣判。事实上，三星电子并非首次遭遇类似技术泄密事件。2025年，韩国方面曾拘留3名前三星员工，其中包括一名高管，原因是他们涉嫌将三星18纳米DRAM存储芯片技术泄露给竞争对手。相关报道曾估算，此类技术外泄事件仅2025年就可能已导致三星遭受高达5万亿韩元（约合230.95亿元人民币）的销售损失，未来数年仍可能继续造成数万亿韩元级别的潜在影响。

与此同时，技术泄露事件也存在反向案例。2024年，一名在中国工作的韩国籍工程师A某，因涉嫌向韩国泄露中国国内存储芯片机密，被中国警方逮捕。据悉，A某也曾是三星电子芯片部门员工，自2016年起先后在多家中国芯片企业任职。

当前全球存储芯片市场格局正在发生变化。惠普、华硕、戴尔等头部终端厂商，正考虑向中国存储企业采购内存产品。核心原因是主流DRAM厂商均集中产能，优先生产AI加速器所需的HBM产品，通用内存出现了明显供应缺口。