SK海力士先进封装工厂将于四月开工建设

据最新报道，全球存储巨头 SK 海力士正式启动超大规模投资，计划斥资 19 万亿韩元（约合 900 亿元人民币）建设全新先进封装工厂，项目已于 2026 年 4 月在韩国清州科技城工业园区破土动工。该工厂为 SK 海力士第七座半导体后端封装测试厂（P&T7），占地约 23 万平方米，预计 2027 年底全面竣工，专项服务高带宽内存（HBM）等 AI 核心存储产品。

此次投资直指全球 AI 算力爆发下的存储封装瓶颈。新工厂将搭载 3D 堆叠、扇出型封装等先进工艺，重点适配 HBM3E、HBM4 等高带宽内存的封装测试需求，与清州 M15X 前端晶圆厂形成 “制造 + 封装” 一体化协同，大幅提升 AI 存储芯片的交付效率与良率。SK 海力士预计 2025-2030 年 HBM 需求复合年增长率达 33%，该工厂将成为其巩固高端存储领先地位的关键产能支撑。

项目建设节奏明确，分阶段推进产能落地。工厂规划建设三层晶圆级封装（WLP）产线与七层晶圆测试（WT）产线，洁净室总面积达 15 万平方米；其中 WT 产线预计 2027 年 10 月率先完工，WLP 产线 2028 年 2 月投产，逐步释放 HBM 封装产能。这一布局将有效缓解当前全球 HBM 封装产能紧张局面，直接响应英伟达等 AI 芯片巨头的供应链需求。

SK 海力士同步推进全球化封装布局，除清州 P&T7 外，美国印第安纳州先进封装厂已于 4 月启动打桩作业，预计 2028 年下半年投产。两大基地建成后，SK 海力士将形成韩国利川、清州及美国三大先进封装中心，全面覆盖全球 AI 数据中心与算力基础设施的存储封装需求，进一步拉开与竞争对手的产能与技术差距。