SC4D40120H-JSM 碳化硅肖特基二极管

在新能源革命与工业智能化的双重驱动下，碳化硅（SiC）功率器件凭借耐高温、低损耗、高频化的核心优势，成为电力电子领域升级换代的 “核心引擎”。深耕碳化硅赛道的杰盛微半导体，重磅推出SC4D40120H-JSM 碳化硅肖特基二极管，精准对标行业经典型号 C4D40120H，在参数一致性、性能稳定性、应用适配性上实现全面匹配，更以本土化服务与高性价比优势，为全球客户提供 “即换即用” 的优质替代方案，赋能伺服驱动、新能源逆变等高端场景技术升级。

一、核心特性复刻升级，延续经典优势

作为对标 C4D40120H 的诚意之作，SC4D40120H-JSM 完整继承了经典型号的核心技术亮点，同时通过工艺优化强化了可靠性与适配性，让每一项特性都能精准匹配实际应用需求。

1.零恢复电流 + 无开关损耗，效率再突破

SC4D40120H-JSM 采用纯碳化硅肖特基结构，实现零正向 / 反向恢复电流特性 —— 这意味着器件在开关过程中无电荷存储与释放的能量损耗，彻底解决了传统硅基二极管因恢复电流导致的效率瓶颈。搭配 “温度无关的开关行为” 设计，无论在 - 55℃低温启动还是 175℃高温运行，开关响应速度始终稳定，无开关损耗的优势让系统效率提升 3%-8%，完美契合光伏逆变器、高频 DC/DC 转换器等对能效要求严苛的场景。

2. 高耐压 + 强浪涌，极端工况稳得住

器件额定峰值重复反向电压达 1200V，直流阻断电压同步满足 1200V 标准，能轻松应对中高压电力电子系统的耐压需求，与 C4D40120H 的电压等级完全一致。在电流承载能力上，25℃壳温下连续正向电流可达 92A，即使壳温升至 140℃仍能稳定输出 40A 电流；单次峰值正向浪涌电流高达 230A（10ms 半正弦脉冲），重复浪涌电流在 25℃时达 220A，面对电路启动、负载突变等突发情况时，能有效抵御电流冲击，避免器件损坏，可靠性远超行业平均水平。

3. 正温度系数 + 100% 雪崩测试，安全无死角

SC4D40120H-JSM 的正向电压（VF）具备正温度系数特性，这一设计让多器件并联使用更安全—— 当单个器件温度升高时，正向电压会同步增大，自动分流电流，避免电流集中导致的热失控问题，无需额外设计复杂的均流电路，降低系统设计成本。同时，器件经过 100% 雪崩测试，单次脉冲雪崩能量达 169mJ，在极端电压应力下仍能保持稳定，为设备运行筑起双重安全屏障。

二、全场景深度适配，赋能多行业升级

凭借与 C4D40120H 一致的高性能与高可靠性，SC4D40120H-JSM 在多个高端电力电子场景中展现出强大的适配能力，成为推动行业技术升级的核心器件。

1. 伺服驱动器：精准控制 + 高效节能

在工业伺服驱动器中，SC4D40120H-JSM 的高频工作能力与低开关损耗特性，能有效提升驱动器的响应速度和控制精度，减少电机运行中的能量损耗；宽温工作范围（-55~175℃）适配工业环境的恶劣温度条件，保障设备长时间连续稳定运行，助力智能制造装备升级。

2. 光伏 / 风力逆变器：高效逆变 + 抗扰性强

新能源发电场景对器件的耐压、效率、抗浪涌能力要求极高。SC4D40120H-JSM 的 1200V 高阻断电压、低导通损耗特性，能将太阳能、风能转化为电能的效率提升 3%-5%；强浪涌电流承受能力可应对新能源发电中的电压波动，延长逆变器使用寿命，为清洁能源并网提供稳定保障。

3. 电源转换器：高频小型化 + 高功率密度

AC/DC 与 DC/DC 转换器是通信电源、工业电源、充电桩等设备的核心。SC4D40120H-JSM 的无开关损耗、高频适配特性，能大幅降低转换器功耗，缩小体积，提升功率密度 —— 例如在充电桩中，可助力实现更快的充电速度与更小的设备体积，优化用户体验。

4. 不间断电源（UPS）：快速切换 + 稳定供电

UPS 作为关键负载的 “电力保障”，对器件的可靠性与响应速度要求严苛。SC4D40120H-JSM 的快速开关响应、宽温适应能力，能确保 UPS 在电网断电时快速切换至备用电源，为服务器、医疗设备、工业控制系统等关键负载提供持续稳定供电，避免因供电中断造成的重大损失。

三、关键参数：硬核性能，数据说话

（1）最大额定值

（2）电气特性（典型值 / 最大值）

（3）热学特性

四、关键参数精准匹配，无缝替换零成本

对于需要替代 C4D40120H 的客户而言，参数一致性是降低切换成本的核心前提。SC4D40120H-JSM 在电气、热学、封装等关键参数上与对标型号高度契合，确保替换过程无需改动 PCB 设计、散热结构，实现 “即换即用”。

1. 电气参数完美契合，性能无差异

在导通损耗核心指标 —— 正向电压（VF）上，SC4D40120H-JSM 表现优异：40A 正向电流、25℃结温下，VF 典型值仅 1.45V，最大值不超过 1.75V；即使在 175℃高温下，VF 也仅 2.05V，与 C4D40120H 的参数范围完全一致，确保导通损耗水平相当。

反向漏电流控制同样出色：1200V 反向电压、25℃结温下，典型反向电流仅 6μA，最大值 150μA；175℃高温下典型值也仅 99μA，漏电流水平与对标型号持平，有效减少静态损耗。此外，总电容电荷（800V 时 211nC）、动态电容特性（1V/1MHz 时 2480pF，800V 时 139pF）等高频参数均与 C4D40120H 匹配，确保器件在高频工况下的响应速度与原有设计一致。

2. 热学与封装完全兼容，散热无压力

SC4D40120H-JSM 采用与 C4D40120H 相同的TO-247-2 封装，封装尺寸精准匹配 —— 引脚间距、外壳尺寸、安装孔位等关键尺寸完全一致，确保能直接适配原有 PCB 板设计与散热结构。在热学性能上，器件的结到壳热阻（Rth (j-c)）典型值为 0.35℃/W，最大值不超过 0.41℃/W，与对标型号热阻水平相当；25℃壳温下总功耗达 366W，110℃时为 158W，散热效率优异，能快速将热量传导至散热系统，避免结温过高影响器件寿命。

3. 环保与封装规格适配，量产更便捷

SC4D40120H-JSM 符合 RoHS 环保标准，属于绿色器件，契合全球环保政策趋势。在供应规格上，器件采用管装包装，每管 450 个，与行业常规包装规格一致，方便客户存储与批量生产；MSL 等级 1 的设计，降低了器件在生产过程中的受潮风险，提升生产良率，进一步降低客户的量产成本。

五、杰盛微品质护航，本土化服务更省心

杰盛微半导体作为专注于碳化硅功率器件研发、生产与销售的高新技术企业，始终以 “技术创新、品质至上” 为核心理念，为全球客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。SC4D40120H-JSM 从芯片设计、晶圆制造到封装测试，每一道工序都经过严格的质量管控，确保批量生产的产品性能一致性与稳定性。

相较于进口对标型号，SC4D40120H-JSM 具备三大核心服务优势：一是供货周期更灵活，本土化生产与供应链布局，能快速响应客户订单需求，避免国际物流延误；二是技术支持更及时，专业的应用工程师团队可提供定制化技术解决方案，协助客户快速完成产品调试与量产；三是性价比更高，在性能相当的前提下，为客户降低采购成本，提升产品市场竞争力。

未来，杰盛微将持续深耕碳化硅功率器件领域，聚焦新能源、工业控制、汽车电子等核心场景，推出更多高性能、高可靠性的产品，为全球电力电子行业的技术升级与绿色发展贡献力量。

温馨提示：

1、器件使用需严格遵循最大额定参数要求，超出极限条件可能导致器件损坏；

2、产品未设计用于军事 / 航空、汽车或医疗设备，此类场景使用需提前与厂家确认；

3、文档信息可能因产品升级有所变更，实际应用请以交付规格书为准。