JSM9N20F 200V N 沟道 MOSFET
关键词： 沟道MOSFET JSM9N20F MOSFET 功率半导体
在新能源、工业控制、汽车电子等领域高速发展的今天，功率半导体器件作为能量转换与电路控制的核心，其性能直接决定了终端设备的能效、可靠性与市场竞争力。杰盛微半导体（JSMSEMI）深耕功率器件赛道多年，以技术创新为内核，重磅推出 JSM9N20F 200V N 沟道 MOSFET。这款凝聚了杰盛微核心研发实力的旗舰级产品，凭借全维度均衡的性能表现，为多场景电力电子应用提供一站式解决方案，重新定义中高压 MOSFET 的性能标杆。
一、产品核心亮点：六大优势破解行业痛点
杰盛微 JSM9N20F 从芯片设计、工艺优化到封装测试，全流程遵循工业级严苛标准，凝练出六大核心竞争优势，精准匹配市场对高性能 MOSFET 的核心诉求。
1. 超低导通电阻，能效突破新高度
导通损耗是制约功率器件能效的关键因素，JSM9N20F 通过先进的晶圆制造工艺与器件结构优化，实现了 0.4Ω（Max）的超低静态漏源导通电阻（测试条件：ID=4.5A，VGS=10V）。这一突破性指标意味着器件在大电流工作状态下能量损耗大幅降低，相比同类产品，导通损耗可降低 15%-20%，能有效减少设备发热、提升能量转换效率，完美契合绿色节能的行业发展趋势。
2. 卓越开关特性，毫秒级响应无压力
高频化是电力电子设备小型化、轻量化的核心路径，JSM9N20F 以 22nC（Typ.）的超低总栅极电荷（Qg）为核心优势（测试条件：VDS=160V，VGS=10V，ID=9A），搭配优化的栅极结构设计，实现极速开关响应。其导通延迟时间（Td (on)）典型值仅 11nS，关断延迟时间（Td (off)）典型值 60nS，上升时间（Tr）与下降时间（Tf）分别低至 70nS 和 65nS（典型值），毫秒级开关速度大幅减少开关损耗，确保设备在高频工作模式下稳定运行。
3. 200V 高压耐受，安全冗余拉满
中高压应用场景中，电压波动与瞬时过压是器件损坏的主要诱因。JSM9N20F 的漏源电压（VDSS）额定值高达 200V，通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量（EAS）达到 160mJ，雪崩电流（AR）达 9.0A，具备极强的抗冲击能力。充足的电压冗余与优异的雪崩耐受特性，能有效抵御电路中的瞬时过压冲击，大幅降低器件失效风险，为高压应用场景提供坚实安全保障。
4. 低本征电容 + 宽温适配，场景兼容性拉满
JSM9N20F 优化了电容特性设计，输入电容（Ciss）典型值 550pF、输出电容（Coss）典型值 85pF、反向传输电容（Crss）典型值 22pF（测试条件：VDS=25V，VGS=0，f=1.0MHz），低本征电容减少动态损耗，降低驱动电路要求。同时，产品结温（Tj）工作范围覆盖 - 55°C 至 150°C，存储温度同样达到 - 55°C 至 150°C，焊接最大引线温度高达 300°C，可轻松应对复杂环境与严苛工艺要求。
5. 标准封装设计，替换成本最低化
JSM9N20F 采用行业标准的 TO-220F 封装，引脚定义清晰（1. 栅极 G、2. 漏极 D、3. 源极 S），核心尺寸精准可控（A=9.80-10.60mm，B1=15.40-16.40mm，E=2.24-2.84mm）。标准封装设计使其能直接替换市场上同类型产品，无需改动 PCB 板设计，实现 “即换即用”，极大降低客户选型成本与替换门槛，适配各类现有应用方案。
二、多场景深度赋能：驱动千行百业创新
凭借全面均衡的性能表现与极高的可靠性，JSM9N20F 可广泛适配多个行业的核心应用场景，成为电力电子设备升级换代的理想选择。
1. 开关电源领域：高效节能标杆
涵盖工业控制电源、通信电源、服务器电源、消费电子适配器等场景。JSM9N20F 的低导通损耗与快速开关特性，能显著提升电源转换效率，助力产品达到 80PLUS 钛金级甚至更高能效等级；低本征电容特性则支持电源模块高频化、小型化设计，减少散热器件体积与整体成本，契合绿色节能与小型化的发展趋势。
2. 逆变器应用：新能源转型核心支撑
适配光伏逆变器、风能逆变器、车载逆变器、UPS 不间断电源等场景。产品 200V 高压额定值、160mJ 单脉冲雪崩能量与优异的动态性能，完美契合高频逆变需求，能实现能量高效转换，减少损耗；在 UPS 电源中，快速开关特性与高可靠性可确保断电时无缝切换，保障关键设备持续运行。
3. 电机驱动领域：工业智能化动力核心
适用于工业电机、汽车电子、电动工具等场景。JSM9N20F 的宽温工作范围（-55°C 至 150°C）、低导通电阻与卓越开关特性，能实现精准高效的电机控制，降低驱动系统功耗与发热；在电动工具中，高电流承载能力与抗冲击特性可满足瞬时大负载需求，提升工具动力性能与使用寿命。
4. 其他领域：应用边界持续拓展
还可广泛应用于电焊机、变频器、照明设备、医疗器械等场景：电焊机中，高压耐受与抗冲击能力应对瞬时高压大电流冲击；LED 驱动电源中，低损耗特性减少能耗、延长照明设备寿命；医疗器械中，高可靠性与低电磁干扰特性满足严苛标准，保障设备安全稳定运行。
三、关键参数：硬核性能，数据说话
（1）最大额定值
（2）动态特性
（3）热特性
四、关键参数解析：数据见证极致性能
如果说核心优势是产品的 “亮点标签”，那么全面均衡的参数表现就是产品可靠运行的 “基石”。JSM9N20F 在绝对最大额定值、电气特性、热性能等多个维度均展现行业领先水平，每一项指标都经过严苛测试与精准调校。
1.绝对最大额定值（Ta=25°C）
漏源电压（VDSS）：200V，满足中高压应用核心需求；
漏极电流（ID）：9.0A（Tj=25°C）、5.7A（Tj=100°C），电流承载能力强劲；
栅极阈值电压（VGS (TH)）：±30V，抗静电能力突出，避免栅极过压损坏；
单脉冲雪崩能量（EAS）：160mJ，雪崩电流（AR）：9.0A，抗冲击能力优异；
最大功耗（Po）：72W（Tj=25°C），功率冗余充足，适配高负载场景；
存储温度（Tstg）：-55~+150°C，焊接最大引线温度（TL）：300°C，环境与工艺适应性强。
2. 电气特性：全维度无短板
截止特性：漏源击穿电压（BVDSS）最小值 500V，电压安全冗余充足；击穿电压温度系数典型值 0.55V/°C，宽温范围内电压特性稳定；零栅压漏极电流（IDSS）最大值仅 1μA（VDS=200V，VGS=0V），125°C 高温下也仅为 10μA，漏电流控制行业顶尖；栅体漏电流（IGSSF/IGSSR）绝对值不超过 100nA，绝缘性能可靠。
导通特性：栅极阈值电压（VGS (th)）为 2-4V，适配主流 10V 驱动电路，兼容性强；静态漏源导通电阻（RDS (on)）最大值 0.4Ω，确保低导通损耗。
动态与开关特性：总栅极电荷（Qg）典型值 22nC，栅源电荷（Qgs）4nC，栅漏电荷（Qgd）11nC，极低栅极电荷保障快速开关响应；开关延迟时间、上升 / 下降时间表现优异，高频切换能力突出。
二极管特性：漏源二极管最大连续正向电流 9A，脉冲正向电流 36A，满足大电流续流需求；反向恢复时间（trr）典型值 140nS，反向恢复电荷（Qrr）典型值 2.2μC，反向恢复特性出色，减少续流损耗。
3. 热性能：高效散热保障稳定运行
热性能是功率器件长期稳定工作的核心保障。JSM9N20F 的结到壳热阻（RJC）为 1.74°C/W，结到环境热阻（RJA）为 62.5°C/W，优异的散热特性确保器件在高功率负载下快速散发热量，避免因过热导致性能衰减或永久损坏，为设备长期稳定运行提供坚实支撑。
五、封装与测试：细节把控彰显品质
1. TO-220F 封装：标准与实用兼备
JSM9N20F 采用行业通用的 TO-220F 封装，不仅具备优异的散热性能，还拥有清晰的引脚定义与精准的尺寸设计。封装核心尺寸参数严格把控：A（9.80-10.60mm）、B1（15.40-16.40mm）、E（2.24-2.84mm）等关键尺寸均符合行业标准，确保与现有 PCB 板设计无缝兼容。同时，引脚的机械强度与焊接性能经过特殊优化，300°C 的最大焊接引线温度耐受能力，为批量生产提供更高工艺容错率，保障生产一致性与产品可靠性。
2. 全方位测试：确保性能稳定可靠
为验证产品在各类工况下的性能表现，JSM9N20F 经过了全方位的严苛测试，涵盖四大核心测试场景：
栅极电荷测试：通过专业测试电路精准测量栅极电荷参数，确保开关性能稳定；
电阻开关测试：验证器件在电阻负载下的开关响应与损耗特性；
无钳位感性开关测试：模拟电感负载工况，测试雪崩能量与抗冲击能力，雪崩能量计算公式为：
峰值二极管恢复 dv/dt 测试：评估漏源二极管的反向恢复特性与电压变化率耐受能力。
每一项测试都严格遵循行业标准，确保产品性能达标、品质可靠。
杰盛微：以技术创新引领行业发展
杰盛微半导体（JSMSEMI）始终专注于功率半导体器件的研发、生产与销售，秉持 “技术为本、品质至上” 的核心理念，构建了从芯片设计、封装测试到方案优化的全产业链布局。公司拥有一支由行业资深专家组成的研发团队，依托先进的晶圆制造工艺与严格的质量管控体系，每一款产品都经过上百次仿真与测试，每一批产品都经过严苛的质量检测，确保交付给客户的每一颗器件都具备稳定可靠的性能。
此次 JSM9N20F 的重磅发布，不仅是杰盛微技术实力的又一次彰显，更是对电力电子行业需求的精准响应。未来，杰盛微将继续深耕功率器件领域，聚焦新能源、工业控制、汽车电子等核心赛道，持续加大研发投入，推动技术创新与产品升级，为全球客户提供更优质的产品与服务。
