世界先进获台积电氮化镓技术授权

在第三代半导体技术竞争日趋激烈的背景下，全球半导体产业又迎来一项关键合作。世界先进积体电路股份有限公司（以下简称“世界先进”）于1月28日宣布，已与台湾积体电路制造股份有限公司（台积电）正式签署高压（650V）与低压（80V）氮化镓（GaN）制程技术的授权协议。此项合作标志着双方在化合物半导体领域的战略布局进一步深化，旨在加速新一代高效能电源解决方案的开发与商业化进程。

补全技术拼图，构建完整电压平台

据世界先进公告指出，此次技术授权将直接助力公司加速开发并拓展新一代氮化镓功率元件，目标市场聚焦于对电能转换效率要求极高的数据中心、车用电子、工业控制及能源管理等领域。

此次授权的战略意义在于补全了世界先进在氮化镓领域的技术版图。通过此次授权，世界先进得以将其现有的硅衬底功率氮化镓（GaN-on-Si）制程能力扩展至650V的高压应用领域，从而形成一个完整的GaN-on-Si技术平台。更重要的是，结合世界先进原本已拥有的新衬底功率氮化镓（GaN-on-QST）制程平台，公司将成为全球首家、也是目前唯一一家能够同时提供基于硅衬底和新衬底两种不同技术路线的氮化镓晶圆制造服务的公司。

这一独特的双平台优势，使得世界先进能够为客户提供覆盖自低压（小于200V）、中高压（650V）乃至超高压（1200V）的完整电压范围产品解决方案，为其在高效率电能转换市场的竞争奠定了难以复制的技术基础。

硅基逼近极限，氮化镓乘势而起

本次合作的深层驱动力，源于半导体行业对更高能效的持续追求。随着传统硅基功率半导体逐渐逼近其材料物理极限，以氮化镓为代表的第三代半导体材料凭借其宽禁带特性，展现出高效率、高功率密度、高开关频率及更小体积等显著优势，正成为突破现有电源技术瓶颈的关键。尤其是在快速充电、5G通信基站、新能源汽车及工业电源等场景中，氮化镓技术已成为实现设备小型化、轻量化和高效化的核心路径。

世界先进正积极构建覆盖15V至1200V的宽电压氮化镓制程技术版图。公司表示，通过本次授权获得的技术，将被精准打造为一个能与公司现有制程平台无缝接轨的氮化镓制程平台，并将依托其成熟的八英寸晶圆生产线进行工艺验证与优化，以确保最终量产时的制程稳定性与高良率。

产业影响与展望

根据规划，相关的技术开发与整合工作预计将于2026年初正式启动，并瞄准在2028年上半年实现量产。

对于此次授权，世界先进总经理尉济时博士表示：“此次技术授权不仅展现了世界先进与台积电之间持续且深入的技术交流与合作成果，更象征着我们致力于推动完整氮化镓产品解决方案、强化在化合物半导体领域战略布局的坚定承诺。”他进一步强调，通过整合此项技术，世界先进将能更快速地响应客户在高效能电能转换应用领域日益增长的需求，共同推动半导体电源技术迈向新世代，助力实现绿色能源与智慧应用的未来愿景。

此次台积电向世界先进授权氮化镓技术，是产业链上下游协同创新的一个典型案例。对于台积电而言，通过授权其领先的氮化镓技术给紧密的合作伙伴，有助于进一步扩大其技术生态圈的影响力，加速GaN技术的市场渗透与应用多元化。此前，台积电也已与其他国际大厂签署过类似的氮化镓技术授权协议，显示出其在该领域推行开放合作策略的一贯性。

对于世界先进而言，此举无疑是其多元化特色工艺平台战略的重要落子。在全球节能减排趋势不可逆转的当下，高效功率半导体市场需求持续看涨。成功整合并量产双衬底氮化镓工艺后，世界先进不仅能巩固其在电源管理IC代工领域的既有优势，更有望在蓬勃发展的车载、能源基础设施等高端市场开辟全新的增长曲线。