三星HBM4E研发过半，2027年剑指3.25TB/s带宽
随着人工智能大模型对算力需求呈指数级增长，高带宽内存（HBM）已成为AI加速器性能的关键瓶颈。
据韩国媒体TheElec报道，三星电子在HBM技术竞赛中迈出关键一步——其第七代产品HBM4E的研发已正式进入基础芯片（base die）的后端设计阶段，标志着整体开发进程过半，量产目标锁定2027年。
据悉，HBM4E的基础芯片目前已完成寄存器传输级（RTL）逻辑设计，正进行物理电路的布局与布线（即后端设计）。这一阶段通常占芯片设计总周期的60%至70%，完成后将进入流片（tape-out）准备，由代工厂启动试产。
作为HBM模块的“控制中枢”，基础芯片不仅负责管理数据读写速度，还承担对上方堆叠DRAM的错误校正（ECC），直接决定整颗HBM的性能、稳定性与能效。
根据此前的信息，三星为HBM4E设定了技术指标：总带宽目标高达3.25 TB/s，较当前主流的HBM3E提升约2.5倍；每针脚数据速率突破13 Gbps；同时维持2,048个I/O接口以确保兼容性。同时，其能效目标是HBM3E的两倍以上。这对功耗敏感的数据中心和AI训练集群至关重要。
为加速商业化进程，三星已向供应链发出明确信号：要求供应商在2026年3月前提交配套材料与设备供应计划。公司内部更制定了覆盖HBM4、HBM4E到HBM5（预计2029年推出）的完整路线图，并同步运营两个研发团队——一个专注标准品，另一个专攻定制方案，形成“双轨并行”策略。
TheElec称，三星计划在其自有的4纳米FinFET工艺节点上制造HBM4E的基础芯片，并由存储器接口专家林大贤（Daihyun Lim）领衔I/O设计。林大贤曾任职IBM与GlobalFoundries，2023年加入三星，其经验被视为攻克高速信号完整性难题的关键。
值得一提的是，HBM4E及未来的HBM5将告别“通用芯片”时代，全面转向深度定制化。三星已组建专门的“客户HBM团队”，为英伟达、谷歌、Meta等头部AI公司量身打造内存方案。该团队近期扩招250人，凸显了客户需求的复杂性与紧迫性。
在全球AI军备竞赛中，内存已成为继先进制程之后的第二战场。三星HBM4E若如期于2027年量产，不仅将巩固其在高端存储市场的领导地位，更可能成为定义下一代AI基础设施的关键一环。
