研微半导体完成数亿元A轮融资，加速高端薄膜沉积设备国产替代

据永鑫方舟资本消息，近日，研微（江苏）半导体科技有限公司（简称“研微半导体”）完成数亿元A轮融资，投资方包括永鑫方舟、金圆资本、合肥产投等知名投资机构。该公司成立3年已有多台设备通过Fab厂验证，募集资金将用于未来研发投入及扩充团队。

研微半导体成立于 2022 年，坐落于无锡经济开发区，致力于研发、生产和销售具有自主知识产权且具备国际竞争力的半导体设备，专注于原子层沉积（ALD)、 Si 外延沉积（SI EPI）、等离子体化学气相沉积（PECVD）、SiC 外延（SiC EPI）以及原子层刻蚀（ALE）等设备及工艺技术的研发。该公司的目标是解决高端芯片制造中沉积和刻蚀技术的难题，引领更先进的沉积和刻蚀设备技术，同时与上下游产业链紧密合作齐步向前，助力中国半导体产业的加速腾飞。

随着逻辑芯片制程的持续升级和3D存储芯片对多层高深宽比结构要求的不断提高，ALD 技术凭借其原子层级沉积特点，具有薄膜厚度精确度高、均匀性好、台阶覆盖率极高、沟槽填充性能极佳等优势，特别适合在对薄膜质量和台阶覆盖率有较高要求的领域应用，在 45nm 以下节点、先进封装、3D结构等半导体薄膜沉积环节有大量需求。研微半导体目前重点突破的tALD、PEALD、低压EPI等细分领域，市场份额主要由美日欧厂商占据，受地缘政治影响，高端薄膜沉积设备进口受限。凭借在金属栅极、高深宽比沟槽填充等细分工艺的突破，研微半导体在最前沿半导体技术竞争中建立优势，实现国产替代。

永鑫方舟投资团队指出：在中国半导体产业快速发展的浪潮中，研微半导体紧密围绕高端制程、3D存储及先进封装等领域对特殊材料与工艺设备的迫切需求，提供成熟可靠的整体解决方案。公司核心团队具备全球稀缺的复合研发背景——同时拥有NAND、DRAM与Logic三大领域设备开发经验，凭借这一独特优势，研微半导体在成立仅三年内，便高效完成了从团队组建到Fab厂验证的全流程，以专业、高效的服务赢得了行业内的广泛认可与好评。