SK集团将牵头开发下一代功率半导体

SK集团将作为龙头企业（牵头企业）参与韩国政府的功率半导体开发项目，该项目是政府推进的“15个超级创新经济项目”之一。这是韩国大型企业首次参与李在明政府的超级创新半导体项目。尽管韩国国内半导体巨头一直对投资功率半导体持谨慎态度，但SK集团率先行动，因为政府提出了涵盖整个供应链的公私合作模式。继SK集团之后，三星电子也开始对功率半导体进行内部市场调研。

功率半导体是未来人形机器人、电动汽车和数据中心等产业的关键产品，因为它们通过使用碳化硅（SiC）等特殊材料来减少发热量和功率损耗。韩国政府预计，到2030年，碳化硅半导体市场将以每年20%的速度增长，达到103亿美元。

随着韩国半导体行业领军企业SK集团进军功率半导体市场，预计下一代芯片研发领域的竞争将更加激烈。政府计划由SK集团作为私营企业代表，构建涵盖从碳化硅晶圆等材料到封装等后处理环节的完整价值链，之后政府将建立一个连接中小型企业、高校和科研机构的一体化生态系统。为实现这些目标，政府还将放宽投资法规，包括控股公司的孙公司法规。韩国高级政府官员表示：“功率半导体将像高带宽存储器（HBM）一样，成为产业格局的‘游戏规则改变者’。”

韩国政府与SK集团携手扶持碳化硅（SiC）功率半导体产业的背景，在于日益激烈的“下一代芯片”竞争。尽管英伟达的图形处理器（GPU）及其搭载的HBM目前主导着芯片市场，但能够稳定为高性能GPU供电的功率半导体解决方案在未来将变得愈发重要。

数据中心目前的用电量已相当于一座城市的用电量，而自动驾驶汽车所需的性能甚至超过能够实时计算数百个传感器数据的高性能计算机。人形机器人也需要在高温高振动的环境中精确控制多轴电机。能够解决发热和效率问题的功率半导体对于所有这些设备的稳定运行至关重要。这意味着，如果不优化数据（芯片）和能源（功率半导体），企业将难以在即将到来的全球芯片竞争中生存。特别是，基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体，由于其在高温高压环境下比现有硅基产品具有更低的功率损耗和更高的耐久性，已成为决定下一代产业电源效率的关键组件。机构预测，到2030年功率半导体市场规模将达到685亿美元（约合100万亿韩元）。

问题在于，韩国在该市场的竞争力较低，且差距已开始扩大。尽管韩国在HBM等存储器领域拥有压倒性优势，但在基于碳化硅（SiC）的下一代功率半导体市场，韩国却更像是后起之秀。更重要的是，随着功率半导体市场围绕8英寸晶圆进行重组，这种差距的扩大令人担忧。据悉，目前在韩国生产功率半导体的公司主要采用6英寸晶圆进行生产。在半导体行业，生产中使用的更大尺寸晶圆通常被认为具有更高的生产效率。

意法半导体（ST）在碳化硅功率半导体市场占据领先地位，其次是安森美半导体（ON Semiconductor）和英飞凌（Infineon）。中国也在功率半导体市场推进材料和后处理环节的垂直整合，随时可能构成威胁。

专家预测，SK有望成为功率半导体市场的最佳领军企业。这是因为SK集团已拥有可随时实现垂直整合的体系，包括SK Siltron（晶圆制造）和SK海力士System IC（晶圆代工）。此外，SK集团与国内合作伙伴在各个环节建立的深厚信任也是其优势之一。业内人士表示：“从SK集团通过HBM技术实现复兴的历程来看，该公司相对而言更乐于接受外部专家的意见。SK集团这样的大型企业扮演着锚定角色，能够更稳定地构建相关生态系统。”

韩国政府也计划通过制定2030年长期发展路线图来提供横向支持。继9月成立SiC功率半导体推进小组后，11月将制定具体的技术开发任务。在2026上半年经国家科技咨询委员会审议确定发展方向后，将于2027年在8英寸公有晶圆厂启动原型生产和示范合作。目标是在2029年完成最终原型开发，并在2030年实现量产。通过这一目标，计划将碳化硅功率半导体的技术自主率从目前的10%提升至20%。（校对/赵月）