三星电子考虑解散1c DRAM良率专项小组 拼年内量产HBM4

据一位熟悉三星电子内部消息人士10月15日透露，三星电子正积极考虑解散致力于提升10nm级第六代（1c）DRAM良率的特别工作组，转而专注于年内实现下一代高带宽存储器HBM4的量产。这一决定反映了三星迫切致力于在年内优先为英伟达量产HBM4的承诺。

该特别工作组由存储业务部门的核心人员组成，旨在提升下一代DRAM的良率，是在去年全永铉副董事长上任后成立的，目前拥有400至500名员工。

10纳米级DRAM制程技术的发展顺序如下：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）和1b（第五代）。随着制程进展到第六代（1c），线宽不断变窄，工艺难度呈指数级增长，容量和性能也随之提升。

变数在于，由于工艺难度高，提高1c DRAM的良率面临困难。据报道，三星电子目前正在开发的HBM4用1c DRAM在冷测试（Cold Test）中未能达到50%的良率。要达到通常被认为是量产标准的60%的良率并开始内部量产审批（PRA）工艺，还需要相当长的时间。冷测试是一种可靠性测试，通过在极低温度环境下运行芯片来验证电路的电气特性和稳定性。

三星电子原计划在第三季度完成HBM4 1c DRAM的PRA流程。然而，最近有报道称，该公司已跳过这一流程，直接着手建立HBM4的量产体系。

SK海力士于9月建立了全球首个HBM4量产系统，并采用1b DRAM作为其HBM4的“核心芯片”。而三星电子则采用了下一代1c DRAM。作为一家寻求重大变革的后来者，三星电子的这一决定理论上可以实现更快、更节能的产品。

一位熟悉该公司的消息人士解释说：“三星电子管理层认为，如果他们能够在DRAM良率较低的情况下，提供比竞争对手更好的HBM4性能，他们就能改变目前由SK海力士主导的市场格局。这解释了他们采取‘精选与专注’战略的原因，甚至冒着解散负责提高1c DRAM良率的工作组的风险，以加速HBM4的量产。”

但有业内人士指出：“管理层只注重进入英伟达供应链，而忽视良率提升的策略，很容易导致盈利能力和市场竞争力的丧失。”（校对/赵月）