不用散热器的MOS管HKTQ50N03？低压大电流的秘诀
关键词： HKTQ50N03 MOS管 无散热设计 低压大电流 合科泰
引言
在低压大电流设计的时候，想要省成本、缩体积，所以想省个散热器，但是又怕过热炸管子；大封装倒是散热好了，结果又占了半块PCB板。两难抉择下，怎么选择MOS都是坑。今天就给大家扒一款无散热器也能裸奔的MOS管HKTQ50N03，解决两难痛点！
HKTQ50N03无散热设计的三个核心优势
1.超低内阻：HKTQ50N03的导通电阻低至1.8mΩ（@10V），比行业同类产品低15%，MOS管发热的本质是电路导通损耗，在50A电流下计算导通损耗I²R=4.5W，比竞品少的1W意味着温升直降10-15℃，代表使用这款MOS管不用散热器也能抗住。
2.超低热阻：HKTQ50N03通过优化封装工艺，让铜框架与芯片用银浆贴合，使得热阻降低到45℃/W。越低的内阻代表着越快的散热，而很多时候之所以热量散不出去、结温飙升，就是因为热阻太高。而45℃/W的热阻意味着每瓦功耗下，温升才45℃！
3.高冗余结温：HKTQ50N03的结温上限175℃，这个数字比行业标准150℃还高25℃。在车载、工业设备等环境的60℃高温下，结温能控制在78℃，远低于这款MOS管的极限值，长期下来运行更稳定、更持久！
无散热器抗55A实验验证
通过四管并联的场景测试损耗、计算温升、测试结温安全值，我们发现只要普通面积大于十平方厘米，并且打三到五个连到内层地铜箔的导热过孔，满足这两个条件就能在没有散热器的情况下抗住55A的短时脉冲电流。测试结果如下：
总损耗：四管均流，单管损耗仅0.405W；
温升计算：0.405W×45℃/W≈18℃（单管）；
结温安全值：环境温度60℃+18℃=78℃≪175℃极限。
结语
HKTQ50N03的“低损耗+高导热”特性，完美匹配低压大电流场景。合科泰专注低压大电流MOS管研发，用技术解决工程师的“设计痛点”，让每一次选型都更安心。
公司介绍
合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。专注提供高性价比的元器件供应与定制服务，满足企业研发需求。
产品供应品类：覆盖半导体封装材料、电阻/电容/电感等被动元件；以及MOSFET、TVS、肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管及功率器件，电源管理IC及其他，一站式配齐研发与生产所需。
两大智能生产制造中心：华南和西南制造中心（惠州7.5万㎡+南充3.5万㎡）配备共3000多台先进设备及检测仪器；2024年新增3家半导体材料子公司，从源头把控产能与交付效率。
提供封装测试OEM代工：支持样品定制与小批量试产，配合100多项专利技术与ISO9001、IATF16949认证体系，让“品质优先”贯穿从研发到交付的每一环。
合科泰在始终以“客户至上、创新驱动”为核心，为企业提供稳定可靠的元件。
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