逻辑芯片，也就是大家熟悉的手机Soc、CPU、GPU等芯片，工艺提升的方面主要是进行平面微缩，即制程越来越先进，XXnm中这个XX数字越来越小。

但在是NAND闪存领域，单纯靠微缩晶体管，是不可行的，因为研究表示，当工艺达到了15nm左右时，再提升工艺，存储芯片的性能会非常不稳定，作为存储芯片，数据无价，稳定排第一。

所以不管是三星、还是美光、SK海力士们，这些芯片巨头们发现，在NAND闪存芯片上，提升工艺是一方面，另外将芯片进行3D立体堆叠，更是一个重要的方向。

所以我们看到介绍存储芯片时，都是讲XX层堆叠，比如64层堆叠，128层堆叠，192层堆叠等，层数越多，存储密度越高，技术越先进。

目前全球范围内，主要产品还是192层堆叠的NAND闪存芯片，而美光在今年上半年发布了232层堆叠的芯片，不过没有大规模量产，也就是说还是PPT芯片。

但是，近日我们发现，国产NAND芯片支棱起来了，232层堆叠的NAND闪存芯片，我们领先于三星、美光率先规模量产了。

这家厂商就是长江存储，大家发现目前在一些国产SSD中，已经发现大量使用了长江存储232层的NAND闪存，这也是全球率先量产的232层NAND闪存。

这意味着长期以来，被美日韩垄断的NAND市场，中国厂商领先打破了垄断。而2016年才成立的长江存储，其实只花了6年时间，就实现了从落后10多年，到领先于全球。

对此不知道大家怎么看？可见，只要国内的企业肯钻研，肯努力，就没有中国搞不定的芯片，NAND如此，CPU、GPU也是如此，你觉得呢？

当然，量产了232层的NAND闪存芯片后，还只是迈出了一小步，毕竟我们还需要扩大市场，但相信有了技术，市场也就不用愁了，扬以三星、美光等厂商颤抖吧，等着长江存储发威吧。