华轩阳电子 HCG65140DBA:650V/17A 氮化镓MOSFET在高效电源设计中的性能突破与节能实践
本文聚焦华轩阳电子DFN5X6封装的650V/17A氮化镓MOSFET(型号HCG65140DBA)的技术优势与应用价值。通过对比传统硅基MOSFET,结合开关电源拓扑分析,阐述其在导通损耗、开关特性及热管理方面的突破性表现。文章提供实测数据与工程计算模型,量化其在65W PD快充和服务器电源等场景的节能收益,为工程师提供高功率密度设计的可靠解决方案。
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