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深圳市佰泰盛世科技有限公司

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  • PT2041A 单触控单输出 IC

    PT2041A 单触控单输出 IC

    PT2041A 是一款单通道触摸检测芯片。该芯片内建稳压电路,提供稳定电压给触摸感应电路使用,同时内部集成高效完善的触摸检测算法,使得芯片具有稳定的触摸检测效果。该芯片专为取代传统按键而设计,具有宽工作电压与低功耗的特性,可广泛地满足不同消费类应用的需求。
  • PT8P3103 A/D 型 8-Bit MCU

    PT8P3103 A/D 型 8-Bit MCU

    1. 产品概述 PT8P3103 是一款 RISC 内核,A/D 型 8 位 MCU,其内置 2K*16bit OTP ROM、112*8bit SRAM、 12 位高精度 ADC、RTC、TIMER、PWM 等功能。主要应用于消费类电子产品。
  • PT8M2302 触控 A/D 型 8-Bit MCU

    PT8M2302 触控 A/D 型 8-Bit MCU

    PT8M2302 是一款可多次编程(MTP)A/D 型 8 位 MCU,其包括 2K*16bit MTP ROM256*8bit SRAM、ADC、PWM、Touch 等功能,具有高性能精简指令集、低工作电压、低功耗特性且完全集成触控按键功能。为各种触控按键的应用,提供了一种简单而又有效的实现方法。广泛应于触摸台灯、小家电、消费类电子产品等电子应用领域。
  • PT8M2102 触控型 8Bit MCU

    PT8M2102 触控型 8Bit MCU

    PT8M2102 是一款基于 RISC 内核的 8 位 MTP 单片机,内部集成了电容式触摸感应模块、TIMER、PWM、LVR、LVD、WDT 等外设,其主要用作触摸按键开关,广泛适用于触控调光、电子玩具、消费电子、家用电器等领域,具有低功耗、高可靠性、宽工作电压范围的突出优势。
  • PT8M2103 触控 I/O 型 8-Bit MCU

    PT8M2103 触控 I/O 型 8-Bit MCU

    PT8M2103 是一款可多次编程(MTP)I/O 型 8 位 MCU,其包括 2K*16bit MTP ROM、256*8bit SRAM、PWM、Touch 等功能,具有高性能精简指令集、低工作电压、低功耗特性且完全集成触控按键功能。为各种触控按键的应用,提供了一种简单而又有效的实现方法。广泛应用于触摸台灯、小家电、消费类电子产品等电子应用领域。
  • NS2201X 系列 40V 输入 OVP 保护 IC

    NS2201X 系列 40V 输入 OVP 保护 IC

    NS2201X 系列是一款输入过压保护类芯片,芯片内置有过压/过流/过温保护功能和输入 UVLO 锁存功能,在输入异常时可以断开系统的 OUT 端口和IN 端口的连接,有效的保护后级电路不会被损坏,提高系统的应用可靠性。 NS2201X 系列提供有 NS2201A 和 NS2201B 两款引脚方式封装,均采用标准的 SOT23-3L 封装形式。
  • NS2202X 系列 40V 输入 OVP 保护 IC

    NS2202X 系列 40V 输入 OVP 保护 IC

    NS2202X 系列是一款输入过压保护类芯片,芯片内置有过压/过流/过温保护功能和输入 UVLO 锁存功能,在输入异常时可以断开系统的 OUT 端口和IN 端口的连接,有效的保护后级电路不会被损坏,提高系统的应用可靠性。 NS2202 外置有 EN 使能和限流调节 ILIMT 引脚。在 EN 引脚接入低电平时芯片处于工作模式;在 EN引脚接入高电平时则进入关断模式。通过调节 ILIMT引脚电阻可以调节限流保护阈值点,最大 2.1A。 NS2202X 系 列 提 供 有 NS2202 、 NS2202A 和NS2202B 三款引脚方式封装,其中 NS2202A 和NS2202B 采用标准的 SOT23-3L 封装形式;而 NS2202采用标准的 SOT23-6L 封装形式。
    2025-09-23 阅读:28
  • HT4066 过电压保护IC

    HT4066 过电压保护IC

    HT4066是一颗过压保护IC,其内置125mQ (TYP)大电流MOS,其可对低电压工作的系统 进行电压保护,最高+36VDC.当VIN电压超过OVP值时,HT4066将关闭 MOS以关断VIN到VOUT的路径,从而保护负载。当OVLO接地时,HT4066自动设置为固定的 5.85V过压保护值。OVLO外接分压电阻时,可设置4~10V的过压保护值。 当HT4066超过最大结温时,器件关闭。该产品提供SOT23-6封装,支持-40℃到+85℃的环境温度。
    2025-09-22 阅读:1405 关键词: HT4066 过电压保护IC OVP电压 大电流MOS SOT23 - 6封装
  • RY2334 30V High Side Over Voltage Protector

    RY2334 30V High Side Over Voltage Protector

    RY2334 is a high voltage 30V over voltage protector (OVP) which has a low on resistance, by only change the external connecting. It can be used as an OVP device or a high voltage switch. RY2334 consists of a charge pump, a configurable power MOSFET, a voltage reference, a gate driver and some logics and protection modules. RY2334 can react to an input surge very fast and shut off the switch in less than 0.1us. RY2334 is available in SOT-23-3, SOT23-6 package.
    2025-09-22 阅读:43 关键词: RY2334 过压保护器 30V耐压 6.0V保护电压 SOT - 23封装
  • RY2341 40V High Side Over Voltage Protector

    RY2341 40V High Side Over Voltage Protector

    RY2341 is a high voltage 40V over voltage protector (OVP) which has a low on resistance, by only change the external connecting. It can be used as an OVP device or a high voltage switch. RY2341 consists of a charge pump, a configurable power MOSFET, a voltage reference, a gate driver and some logics and protection modules. RY2341 can react to an input surge very fast and shut off the switch in less than 0.1us. RY2341 is available in SOT-23-3,SOT23-6 package
    2025-09-22 阅读:1081
  • LN8238A 单节锂离子/锂聚合物电池保护 IC

    LN8238A 单节锂离子/锂聚合物电池保护 IC

    LN8238A 是一款锂电池保护电路,为避免锂电池因过充电、过放电、电流过大导致电池寿命缩短或电池被损坏而设计。 LN8238A 具有高精确度的电压检测与时间延迟电路,带0V 充电功能(电池电压>0.5V)和自恢复功能。不适用于无线和射频信号排布及屏蔽太差的产品,另请客户使用本产品前务必做成品整机验证。
  • RY2231 Li-ion and Li-poly Battery Protection IC

    RY2231 Li-ion and Li-poly Battery Protection IC

    The RY2231 is a high integration solution for lithium-ion/polymer battery protection. RY2231 contains internal power MOSFET, high-accuracy voltage detection circuits and delay circuits. RY2231 has all the protection functions required in the battery application including overcharging, over discharging, overcurrent and load short circuiting protection etc. The accurate overcharging detection voltage ensures safe and full utilization charging. Thelow standby current drains little current from the cell while in storage.
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