采用PDFN3333封装的N沟道MOS管HKTQ80N03,可用于负载开关和电机驱动等应用
MOS管有N沟道MOS和 P沟道MOS等,N沟道MOS是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层,在漏极和源极间的绝缘层上再装上一个铝电极作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。本期,合科泰给大家介绍一款N沟道MOS管HKTQ80N03,它可用于开关电路和电机驱动等上面。
2024-04-10
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