- 陈立武回应苹果代工：正与多家客户合作，18A工艺良率大幅提升
- 窃取600项DRAM工艺，三星前工程师泄露核心技术被判7年，被罚2亿韩元
- 特斯拉将采用英特尔14A自研芯片工艺
- 中国科学院微电子所在DRAM刻蚀工艺三维仿真方向取得重要进展
- 台积电公布最新路线图：A12、A13、N2U工艺技术发布，2029年之前不使用High-NA EUV
- 报道称三星2nm工艺良率约为55%，高通或将选择台积电
- 韩国本土产4英寸GaAs工艺良率突破95%
- 三星宣布2030年量产1nm 与台积电角逐下一代工艺主导权
- 三星2nm工艺良率突破60%，逼近台积电
- 三星2nm工艺HBM5研发中，并代工生产4nm英伟达Groq 3 LPU
