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报道称三星2nm工艺良率约为55%,高通或将选择台积电
韩国本土产4英寸GaAs工艺良率突破95%
三星宣布2030年量产1nm 与台积电角逐下一代工艺主导权
三星2nm工艺良率突破60%,逼近台积电
三星2nm工艺HBM5研发中,并代工生产4nm英伟达Groq 3 LPU
三星计划将2nm工艺应用于HBM4E基础芯片
英伟达或将重启三星8nm工艺生产RTX 3060
SK海力士全球首发1c工艺LPDDR6,性能狂飙33%
全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试在上海建成
广州市工业和信息化局关于印发广州市关于聚焦特色工艺半导体产业高质量发展的若干措施的通知
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