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窃取600项DRAM工艺,三星前工程师泄露核心技术被判7年,被罚2亿韩元
特斯拉将采用英特尔14A自研芯片工艺
中国科学院微电子所在DRAM刻蚀工艺三维仿真方向取得重要进展
台积电公布最新路线图:A12、A13、N2U工艺技术发布,2029年之前不使用High-NA EUV
报道称三星2nm工艺良率约为55%,高通或将选择台积电
韩国本土产4英寸GaAs工艺良率突破95%
三星宣布2030年量产1nm 与台积电角逐下一代工艺主导权
三星2nm工艺良率突破60%,逼近台积电
三星2nm工艺HBM5研发中,并代工生产4nm英伟达Groq 3 LPU
三星计划将2nm工艺应用于HBM4E基础芯片
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