JSM2N60F 600V N 沟道功率 MOSFET
在电子技术飞速迭代的今天，高频开关电源、有源功率因数校正（APFC）等场景，对核心功率器件的低损耗、高稳定性、快开关速度要求愈发严苛。作为国产半导体领域深耕功率器件研发的优质企业，杰盛微（JSMSEMI）紧扣市场需求，推出JSM2N60F 600V N 沟道功率 MOSFET，以卓越性能、可靠品质，为工业电源、消费电子等领域提供高性价比的国产替代解决方案，助力电子设备实现高效能、低能耗、长寿命的升级目标。
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UPS PFC效率卡在95%？先把Boost二极管的损耗账算清楚
开关频率拉到65kHz甚至100kHz，功率器件换了又换，效率却始终在94%到95%之间徘徊。这是不少UPS工程师都遇到过的困惑。问题很可能不在主开关管，而在于PFC级的Boost二极管。 每次MOSFET关断时，二极管从正向导通切换到反向截止。硅快恢复二极管（FRD）在这个过程中会产生一个反向恢复电流尖峰，这笔能量损耗会随频率增长而被放大。因此，Boost二极管的高频损耗是UPS高频化设计中的一个隐性瓶颈。 相比之下，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用肖特基结结构，没有少数载流子的存储效应，反向恢复电荷趋近于零。在PFC这类高频开关拓扑中，两类器件的表现差距会明显拉开。接下来，我们基于规格书参数，算清楚用SiC二极管替换硅FRD在UPS PFC典型工况下的损耗差异。 -
十二载深耕，聚力同行｜元器猫与 EPSON（爱普生）达成战略合作，深化全球布局
元器猫作为EPSON（爱普生）晶振大中华区一级授权代理，双方正式签署战略合作协议，在技术共创、原厂直供、市场共建三大维度升级合作，常备超800款晶振、RTC时钟芯片、IMU陀螺仪现货，服务超4万家客户。 -
阈值电压VGS(th)的常见误读：刚开启并不等于正常工作？
阈值电压是MOSFET刚刚开启的临界电压，并非正常工作的条件。规格书中导通电阻所标注的栅极电压，才是你应该提供的驱动电压。当栅极电压仅比阈值电压高1到2伏时，导通电阻可能恶化33%甚至数倍。高压MOSFET必须使用10V驱动，不能省略驱动电路。在低压逻辑驱动的场合，应选择规格书中明确给出4.5V下导通电阻数据的型号。不要因为节省几毛钱的驱动电路，而导致整个方案的可靠性下降。 -
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如何在微型化设计中实现±30kV ESD防护？基于HPESD1IVN24LS的信号完整性解决方案
在消费电子和便携式设备的设计中，工程师们常常面临一个“不可能三角”：如何在极小的PCB面积下，同时满足严苛的静电防护等级和极低的信号损耗？特别是在1.00mm x 0.60mm这种超小型封装中，寻找一款既能通过IEC61000-4-2 Level 4标准，又不会拖累高速信号传输的二极管，往往是一项挑战。本文将深入解读华轩阳电子推出的HPESD1IVN24LS，解析其如何通过低电容与快速响应特性，解决这一设计难题。 -
如何搞定接口静电防护与信号完整性的平衡？基于HESD36VD5的极简方案
在现代电子设计中，随着接口速率的提升和元器件尺寸的微缩，静电防护（ESD）设计变得越来越具有挑战性。作为一名硬件工程师，你是否经常面临这样的困境：为了保护昂贵的后级芯片（如MCU、传感器或通信接口芯片），不得不堆砌复杂的保护电路，结果却导致信号完整性受损、PCB面积捉襟见肘，或者因为漏电流过大而影响了系统的低功耗表现？ -
JSM20N50P 500V N 沟道功率 MOSFET
在电力电子技术飞速发展的今天，开关电源、UPS、光伏储能等领域对功率器件的高压耐受、大电流承载、低损耗、高可靠性要求日益严苛。作为国内专注功率半导体研发的高新技术企业，深圳市杰盛微半导体有限公司（JSMSEMI）深耕功率 MOSFET 领域多年，凭借自研工艺与全链条质控体系，推出JSM20N50P 500V N 沟道功率 MOSFET，以卓越性能与稳定品质，为中高压功率转换场景提供优选国产方案，助力行业实现高效化、国产化升级。 -
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锂电池充电充放电曲线分析及应用
锂电池的充电曲线通常包括三个阶段：恒流充电阶段、恒压充电阶段和滞后充电阶段。在恒流充电阶段，电流保持恒定，电压逐渐增加；在恒压充电阶段，电压保持恒定，电流逐渐减小；在滞后充电阶段，电流进一步减小，电池开始充满。通过监测这些阶段的电流和电压变化，可以评估充电过程中的效率和性能。
