黄仁勋：2029年内存难现供给过剩，与长鑫合作持开放态度

英伟达CEO黄仁勋10月22日在GTC柏林大会期间接受CNBC采访时表示，尽管过去一周内存股票因“供过于求、需求走弱”的担忧遭到剧烈抛售，但他认为到2029年内存供给过剩都不太可能出现。“内存的好处在于你永远可以用得更多”，他说，HBM在未来多年仍将被持续使用。

（黄仁勋接受CNBC采访画面）

他还透露，英伟达是全球第一家把手机使用的LPDDR内存引入数据中心的公司，能效达到现有方案的两倍，公司将继续大量使用这类产品。内存是英伟达芯片的核心组件，供给过剩会压低价格并侵蚀存储厂商的利润，黄仁勋的表态相当于对当前市场恐慌的一次公开回应。

对长鑫“持开放态度”

采访中倍受关注的部分是他对中国存储厂商长鑫存储（CXMT）的态度。被问及是否会与长鑫合作、采用其内存产品时，黄仁勋回应称“我们持开放态度”，并表示“世界上几乎所有企业都在供应链的某个环节与中国公司合作”。

他同时强调，中国在基础设施底层技术方面实力惊人，“没有任何国家在制造能力上能与中国匹敌”，因此“必须认真对待他们的能力”。他还罕见地承认，美国的出口管制反而加速了中国半导体产业的发展——包括制造能力的国产化和政府对该行业的大规模产业支持。“毫无疑问，我们加速了这一切”，他说。

长鑫的4F²架构

引发此次全球存储股抛售的直接原因，是长鑫存储10月10日在上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上宣布的消息。长鑫存储总裁曹堪宇博士宣布，公司在下一代4F² DRAM存储单元架构研发上取得关键进展，计划于2026年底前推出融合该架构与晶圆级混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM服务器内存产品。

与当前主流的6F²架构相比，4F²架构可将存储单元面积缩小约33%，意味着同一片晶圆可以容纳更多存储单元。据摩根士丹利等机构分析，长鑫存储的DRAM月产能预计从2025年的约18万片晶圆提升至2026年的约30万片，并在2028年达到约50万片。TrendForce数据显示，长鑫存储2026年第二季度的全球DRAM营收份额已升至约9.5%，排名全球第四。

市场对这一消息的反应并不一致。10月21日，美光在2026年度技术网络研讨会上表态称，经过二十多年探索，4F² DRAM因复杂度和成本问题“不存在可行的规模化路径”，宣布放弃该路线，转而押注6F²的延续优化和3D DRAM。三星方面则由其首席技术官在首尔SEDEX 2026展会上确认正在开发4F² VCT架构，外界预计其商业化量产要到2028年前后。也就是说，长鑫宣称的时间表若兑现，将比三星早约两年，但美光已公开宣判这条路走不通。

（美光DRAM路线图）

质疑的声音同样存在。《华尔街日报》援引花旗分析师的报道称，长鑫的制造工艺仍落后行业领先者数代，预计2028年之前不太可能基于新架构实现大规模生产。即便在乐观情形下，从发布产品到大规模量产之间仍需跨越良率、成本和客户认证等多重门槛。

“供给过剩”合理吗？

从可验证的数据看，至少在2027年之前，供给紧张仍是主流研究机构的共识。TrendForce估计，2026年DRAM供需充足率约为-1%至-2%，即供给本身已低于需求，且这一缺口预计在2027年进一步扩大。HBM对晶圆的消耗约为普通DDR5的4至5倍，厂商将产能优先转向HBM和服务器内存，直接挤压了其他产品的供给——2026年HBM与RDIMM合计已占DRAM位元供应量的51%。

价格方面，TrendForce在9月底将2027年HBM综合均价预期上调至同比上涨121%；服务器DRAM合约价在2025年下半年上涨约64%之后，2026年预计再涨约270%。美光亦表示，其2027年大部分HBM供应量已签署长期协议，价格显著高于现货。

需求侧的信号同样强劲。TrendForce数据显示，全球主要云服务商2026年资本支出预计同比增长98%，2027年再增长50%，DRAM与NAND在其资本支出中的合计占比将从2026年的47%攀升至2027年的68%。供给端的新建产能则受制于建厂和设备安装周期，有意义的产出放量要等到2027年下半年之后，实质性贡献预计要到2028年才会显现。

（全球主要云服务商资本支出预测）

因此，“2029年供给过剩”更像是一个情景推演而非当下共识。支持这一判断的论据在于：长鑫等中国厂商的产能正在快速爬坡，全球新建晶圆厂产能在2028年后集中释放，而消费电子需求持续疲软，云服务商在存储价格高企下的资本开支可持续性也存在疑问——事实上，2026年内存股的回调中已包含了对AI基础设施投入放缓的担忧。

但反对的论据同样扎实：HBM等高附加值产品的技术壁垒和客户认证周期远高于传统DRAM，长鑫的良率和产能爬坡仍存不确定性；即便到2027年，HBM位元出货量预计同比增长50%至60%，仍追不上需求增速。