黄仁勋回应“2029存储红海论”：过剩可能性不大

国际电子商情讯，昨日（10月22日），英伟达CEO黄仁勋在柏林GTC大会期间接受CNBC采访，回应了近一周在供应链中发酵的“2029年内存过剩”说法。他认为，到2029年出现内存供应过剩的可能性不大。这番表态把一场原本停留在资本层面的争论，重新拉回到产能、位元与投片节奏这些可核算的变量上。

“2029存储红海论”从何而来

关于“2029存储红海论”这一争论，其起点是10月15日《韩国每日经济新闻》的一篇专栏文章。该文章引用了两位专家观点，称到2029年半导体行业将出现“大量新增供应”，这些新供应将把存储芯片市场推入“红海”，“超级周期可能结束，行业可能进入下行期”。在此基础上，该文章呼吁韩国政府为AI热潮降温做准备。

同期，另有两个变量在放大存储供应焦虑：一是马斯克称中国大陆2028年将大量生产RAM；二是长鑫存储发布了有望提升效率的新设计架构，市场担忧其从SK海力士、三星、美光手中抢走份额。

值得注意的是，黄仁勋在柏林GTC大会期间的媒体采访中，对采用长鑫存储产品“持开放态度”，他还指出“中国大陆制造能力值得认真看待”。

具体来看，他的回应主要集中为以下几点：

• 第一，“内存很棒的一点是，你永远可以用得更多”，他表示存需求端没有天然上限。

• 第二，高带宽内存（HBM）未来数年仍将持续获得采用。这是目前挤占DRAM产能最显著的产品，也是判断供给节奏的前提。

• 第三，英伟达是全球首家把手机用LPDDR引入数据中心的公司，能效达到目前全球任何其他方案的两倍，因此会继续大量使用。数据中心的内存需求结构正在从“服务器DRAM+HBM”扩展到移动规格，LPDDR产能不再只是手机的事。

新产能将在2028年陆续达产

黄仁勋的说法有第三方数据支撑。TrendForce 7月30日发布的存储产业研究指出，主要DRAM原厂虽已启动扩产，但受建厂时程、设备移机与物料前置作业约束，多数新厂投片放量落在2027年下半年，考虑生产周期，显著的产出贡献要到2028年才发酵。

更关键的是转换率，HBM制造所需的晶圆投入远高于一般型DRAM，新增投片量无法等比例转为有效位元产出。据TrendForce测算，2026年DRAM供需位元差距为-1%至-2%，2027年因需求增速超过供给成长，其缺口将进一步扩大。按这一判断，2027年DRAM仍是卖方市场。所谓“2029存储红海论”，本质上要看2028年之后的新产能释放程度。

2027年内存占CSP资本支出将升至68%

TrendForce 8月25日的研究给出了另一组数字：主要CSP资本支出2026年预计年增98%，2027年再增50%；DRAM与NAND合计在CSP资本支出中的占比，将从2026年的47%升至2027年的68%。

在价格方面，server DRAM合约价2025年下半年累计上涨约64%，2026年预计再涨约270%；enterprise SSD 2025年下半年涨约35%，2026年累计涨幅预计达235%；2027年HBM合约价仍可能上涨70%-140%。

这可能造成系统端两个影响：一是高昂的内存成本为服务器与AI芯片涨价提供了动机；二是CSP可能主动调整内存架构，包括下调RDIMM规格、调整下一代AI芯片的HBM搭载量，甚至把模型架构固化到ASIC上。内存不再只是被采购的零件，而是开始反向定义产品规格。

真正的分化在NAND，不在DRAM

需要注意的是，“2029存储红海论”中涉及到的NAND和DRAM/HBM的风险并不一致。TrendForce 7月21日研究显示，2026年NAND Flash供需位元差距为-4%至-5%，呈缺货格局；但到2027年下半年，该差距将转为正值，供给吃紧压力缓解。国产存储原厂的新设备陆续进厂启用之后，其位元产出占比将提高至近19%。

在消费端则又是另一番景象，2026年智能手机产量预计年减15%-20%，笔记本电脑出货年减约10%，2027年仍将处于衰退的阶段。

对供应链而言，2027年HBM与服务器DRAM的配额和长约仍是核心议题，而这种压力更可能先在NAND与消费端显现。至于2029年存储是否会进入“红海”？主要看2028年那批新产能的爬坡速度如何。