SK海力士否认日本晶圆厂动工传闻，称“纯属无稽之谈”
9月28日，据韩媒smedaily报道，SK海力士正式驳斥了“日本东北地区晶圆厂项目已启动”的传闻，称这“纯属无稽之谈”。
此前有业内消息人士爆料，称一座与SK海力士相关的日本半导体晶圆厂已开始前期地基等基础工程施工，市场随即猜测该项目是其独资运营，还是与日本存储芯片厂商铠侠合资建设。SK海力士官方迅速回应，强调公司目前未在该地区开展任何基建或建厂活动，相关项目仍处于内部评估阶段。
这并非SK海力士首次就日本建厂传闻进行澄清。今年2月，日本经济新闻报道称SK海力士计划投资约2万亿日元，在日本千叶县或宫城县建设DRAM前工序工厂，目标2030年投产，SK海力士随后明确否认，表示“从未讨论过在日本建设DRAM内存晶圆厂”。8月下旬，被媒体点名为潜在选址地的宫城县也公开表态，称“现层面没有掌握相关情况”。宫城县知事在记者会上表示，虽然曾联系多家半导体相关企业，但就SK海力士一事没有获得任何信息。
尽管具体建厂计划尚未敲定，SK集团层面的战略意图仍有迹可循。SK集团会长崔泰源此前在接受采访时透露，SK海力士正考虑与铠侠开展联合生产，并将日本列为海外半导体生产基地候选地，双方可在联合生产、研发以及供应链共享等领域展开合作。然而，铠侠CEO Hiroo Ota随后公开排除了与SK海力士深化合作的可能性，称这将遭遇反垄断阻碍，且“我们完全不知道崔泰源为何发表那样的言论”。
值得关注的是，在日本建厂传闻被否认的同期，韩国政府也加大了半导体技术出口管制。
9月1日，韩国产业通商资源部正式实施修订后的《战略物项进出口公告》。核心变化在于，高性能AI集成电路及符合特定标准的半导体光刻、蚀刻、沉积设备被正式列入“战略物项清单”，全面接轨美欧日主流管制规则。新规明确，企业出口上述受限物项必须事前向产业通商资源部申请出口许可证。
这一政策对韩国半导体企业的影响远比表面看起来更为深远。三星电子和SK海力士在中国、美国等地均设有庞大的生产基地，按照贸易法规定，韩国本土供应商向这些海外工厂交付设备时，均被归类为“海外出口”，需要获得政府审批。据半导体设备业界反映，由于韩美之间的技术管制规格存在细节差异，专业判定至少需要两周，原本几天就能拿到的国内出口许可，现在审查普遍延迟至两个月以上，导致海外法人无法按时交货。
新规出台的背景与美国的持续施压密不可分。2025年8月，美国商务部撤销了三星和SK海力士的VEU资格，此后美方对韩国半导体厂商的管控力度不断增强。韩国通过将管制标准与美、欧、日接轨，意在向美国证明其盟友的战略价值。与此同时，随着中国存储芯片产业链在HBM及常规内存领域的快速突围，韩国保护核心技术优势的意图也愈发明显。
