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传长鑫存储与字节跳动签署五年超70亿美元内存采购协议

2026-07-27 来源:电子工程专辑
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关键词: 长鑫科技 DRAM 字节跳动 科创板IPO 国产存储

7月25日消息,据路透社援引三位知情人士报道,中国存储芯片制造商长鑫存储(CXMT)本月与字节跳动签署了一份为期五年、价值超过70亿美元(约合474亿元人民币)的内存采购协议。

这是继今年6月长鑫存储与腾讯签署价值超过200亿元人民币的长期供应协议后,又一笔来自国内互联网巨头的重大合作。

据知情人士透露,该协议涵盖的内存类型尚未公开披露,但体现了长鑫存储在全球存储芯片供应紧张背景下的客户选择权和议价能力。字节跳动作为全球领先的互联网科技公司,其AI大模型训练、云计算平台、推荐算法及视频处理业务均需要持续消耗大量存储资源。稳定的国产DRAM供应,已成为其AI基础设施建设的重要组成部分。

对此消息,字节跳动与长鑫存储双方暂时均未作出官方回应。

长鑫科技今日科创板上市

就在协议消息传出之际,长鑫科技将于7月27日正式在上海证券交易所科创板挂牌上市。

本次IPO发行价格为8.66元/股,超额配售选择权行使前发行后总股本为668.81亿股,对应发行市值约5791.88亿元,预计募集资金579.19亿元,成为2026年以来A股规模最大的IPO,也是科创板史上第二大IPO,仅次于中芯国际的532亿元募资规模。

7月16日,长鑫科技正式开启新股申购,网上发行有效申购户数达942.88万户,有效申购股数为8169.20亿股。回拨机制启动后,网上发行最终中签率为0.47141739%,位居年内新股首位。网上、网下整体弃购比例仅0.17%,市场申购热度较高。

长鑫科技募集资金净额具体投向包括三大板块:存储器晶圆制造量产线升级项目总投资75亿元,全额使用募资;DRAM存储器技术升级项目总投资180亿元,其中募资投入130亿元;前瞻技术研发项目投资90亿元,全额使用募资。

公司表示,募资完成后将加速扩产,2026年底产能提升至35万片/月,2028年目标月产50万片,持续缩小与海外三巨头产能差距。

上半年有望抹平全部累计亏损

长鑫科技成立于2016年,总部位于安徽合肥,是中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。按2025年第四季度DRAM销售额统计,其全球市场份额已增至7.67%,位列全球第四、中国第一。

业绩方面,长鑫科技2022年至2024年连续亏损,累计亏损约366.5亿元;2025年扭亏为盈,归母净利润18.75亿元。进入2026年后业绩爆发式增长:一季度营收508亿元,同比增长719.13%;归母净利润247.62亿元,同比增长约1688%。

公司预计2026年上半年营收1100亿元至1200亿元,同比增长612.53%至677.31%;归母净利润500亿元至570亿元,同比增长2244.03%至2544.19%,有望抹平成立以来的全部累计亏损。

行业分析机构SemiAnalysis今年6月预计,长鑫存储2026年全年收入可能超过500亿美元(约合3391.52亿元人民币),市场份额将从2025年的9%提升到2027年的12%。

月产有望突破60万片,2030年前或超美光

长鑫存储正在上海和安徽合肥建设两座新工厂,同时与有关部门就建设第三座工厂进行磋商。这些项目全部完成后,长鑫存储的产能将增加一倍以上,月产能超过60万片晶圆。一位知情人士表示,如果工厂建设、设备安装和产能爬坡均按计划推进,长鑫存储的晶圆产能可能在2030年前超过美光。

目前,长鑫科技已实现DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X全系列DRAM产品量产,核心产品技术达国际先进水平,覆盖服务器、移动设备、智能汽车等主流市场。公司已建成合肥、北京三座12英寸晶圆工厂,当前月产能28万至30万片,产能利用率常年稳定在95%以上。

存储LPDDR5X和DDR5

存储上行周期国产替代加速

长鑫存储的发展路径,反映出中国半导体产业从"技术追赶"向"产业规模化"的转变。根据长鑫科技招股书,腾讯、阿里云、字节跳动、联想和小米均被列为其主要客户。腾讯和字节跳动接连签署长期协议,实际上是国内大型互联网企业加快锁定国产服务器内存供应。

市场研究机构Counterpoint数据显示,2026年一季度长鑫科技手机DRAM市场份额为19.1%,仅落后美光0.6个百分点;国内云厂商国产DRAM采购比例从2024年不足8%提升至2026年26%,供应链安全韧性显著增强。

全球存储市场正经历由AI算力需求爆发驱动的深刻结构性变革。世界半导体贸易统计组织(WSTS)预测,2026年全球半导体市场规模将增长逾25%,达到9750亿美元,其中存储芯片与逻辑芯片有望再次领跑市场,同比增幅均超30%。

AI服务器不仅需要大量高带宽存储(HBM),同时也需要大规模服务器DRAM作为数据缓存和运行空间。长鑫科技采取差异化"跳代研发+换道超车"战略,依托DUV深紫外光刻实现高密度存储制造,绕开EUV光刻机管制壁垒,同时布局后HBM时代全新技术赛道。