SK海力士拟赴纳斯达克上市，筹资290亿美元
6月25日消息，韩国存储芯片制造商SK海力士计划最早于7月10日通过在纳斯达克发行美国存托凭证（ADR）筹集约290亿美元。
据路透社报道，包括美国银行证券、花旗环球金融、高盛和摩根大通证券在内的多家大型银行正在负责此次发行。根据SK海力士提交的监管文件显示，公司计划发行1779万股新股，总价值约45.45万亿韩元（约合296.5亿美元）。SK海力士表示，预计ADR将于7月10日开始交易，但补充说这些日期只是暂定的，可能会有所变动。
SK海力士在文件中明确表示，此次赴美上市的核心目的是扩大投资者基础，并“最终使其真正的公司价值得到正确评估”。公司强调：“我们希望通过扩大在美国（人工智能技术创新的中心）的业务覆盖范围，提升我们作为一家全球性公司的地位。”
市场分析师普遍认为，此举将有效缩小SK海力士与竞争对手美光科技的估值差距。Futurum集团半导体和基础设施负责人Rolf Bulk指出：“我们认为ADR上市的主要目的是扩大投资者进入美国市场的渠道，并缩小与美光科技的估值差距。”他进一步解释道：“SK海力士是参与人工智能驱动的内存需求的最直接途径之一，但其仅在韩国上市，限制了许多全球投资者的参与。”
受此重磅消息提振，SK海力士股价周四早盘一度飙升11%。今年以来，SK海力士的股价已累计飙升超过280%，市值成功突破1万亿美元大关。
SK海力士的强劲表现得益于其在AI存储芯片领域的绝对统治力。当前，人工智能引发了全球内存短缺，因为高性能系统需要消耗大量通用DRAM来制造所谓的高带宽内存（HBM）。据Counterpoint研究总监黄明生（MS Hwang）称，SK海力士占据了约60%的HBM市场份额。
“显而易见，SK绝对是HBM领域的佼佼者。而且它的制造成本更低，因此其营业利润率最高。它拥有最好的产品和最低的成本。你还需要什么呢？”黄明生表示。
此次赴美融资正值分析师们对AI存储芯片前景保持乐观之际。随着超大规模数据中心持续加大对AI基础设施的投入，高带宽内存的供应限制可能会持续数年。
为满足AI芯片蓬勃发展的需求，SK海力士正在全球范围内加大资本开支。在韩国本土，公司正在建设一个名为“龙仁集群”的大型存储芯片制造厂园区，预计将于2027年开始投产。
与此同时，SK海力士首次在美国投资建厂，在印第安纳州建设一座价值40亿美元的先进芯片封装厂。这一系列扩张计划旨在确保公司在未来几年的AI算力竞赛中持续占据核心供应链地位。
SK海力士的狂飙突进也深刻影响了韩国资本市场。目前，三星电子和SK海力士合计占韩国基准股指KOSPI的40%以上。尽管这反映了韩国半导体产业的强劲实力，但也引发了市场担忧：韩国股市可能更容易受到供应链中断和全球数据中心投资放缓等系统性风险的影响。不过，在当前AI热潮的推动下，SK海力士的赴美上市无疑为其注入了新的增长动能。
