SK海力士放缓HBM4、加码常规DRAM，存储产能分配正在发生变化
2026年上半年，SK海力士凭借HBM（高带宽存储器）的先发优势，一度在市值上超过三星电子。进入到6月下旬，多个信源显示该公司正在调整产能分配。
DIGITIMES于6月24日报道，SK海力士正放缓部分HBM4产线转换步伐，将更多注意力转向常规DRAM。韩国《朝鲜日报》旗下ChosunBiz在6月23日的报道中指出，SK海力士正向商品级DRAM市场倾斜，常规DRAM的利润率已超过HBM。
标准DRAM的运营利润率正接近50%至60%
SK海力士2026年第一季度营业利润率约为72%，营业利润约37.61万亿韩元。
从价格变化看，常规DRAM在2025年全年上涨约60%后，2026年继续上行30%至40%。第二季度，部分内存厂商已通知客户最高70%的涨幅。行业数据显示，标准DRAM的运营利润率正接近50%至60%。
HBM4同期也经历了显著涨价。与英伟达完成谈判后，HBM4涨幅超过50%，第一季度合约价上涨约100%。但HBM4的成本结构相对复杂：单个堆叠需使用4至8个DRAM裸片，通过硅通孔（TSV）互连，占用更大的有机基板面积，封装环节资源消耗较高。部分行业分析认为，将基板和封装成本纳入考量后，HBM4每片晶圆的利润与标准DRAM的差距可能小于产品单价所反映的水平。
此外，标准DRAM的出货量基数大于HBM。在晶圆总产能存在上限的条件下，每晶圆利润与可分配产能共同决定产品线的整体回报。
产能分配的结构性约束
行业数据显示，HBM生产目前消耗全球DRAM晶圆总产能的约23%。SK海力士自2025年9月启动HBM4量产，订单已覆盖未来数年，2026年全线产品（DRAM、NAND、HBM）均处于售罄状态。在此背景下，晶圆总产能的分配存在刚性约束：每增加一片用于HBM4的晶圆，可用于常规DRAM的晶圆就相应减少一片。
HBM4所需的先进有机基板也处于供应紧张状态，其产能扩张速度慢于晶圆制造端，构成另一项产能限制。SK海力士目前并未停止HBM4产线，但选择了放缓转换速度。
为三星在HBM领域的份额提升创造了条件
据ChosunBiz报道，SK海力士从HBM4向常规DRAM倾斜，为三星电子在HBM领域的份额提升创造了条件。
在通用1c DRAM（HBM4基础制程）层面，三星良率已于2026年2月突破80%，达到成熟水平；但在HBM4成品良率层面，由于堆叠、TSV互连及先进封装等额外工序的影响，三星良率仍低于60%。若SK海力士放缓HBM4产能转换，三星在良率爬升过程中或将获得更大的市场空间。
2026年第一季度，SK海力士全球HBM市场份额从69%降至58%，三星与美光的供应增加使HBM供应格局从双方向三方演变。在常规DRAM领域，三星同样受益于价格上涨。DIGITIMES相关报道显示，三星在商品级DRAM价格上行中暂时领先SK海力士。
SK海力士的产能再分配并非退出HBM
WSTS预测2026年全球半导体市场将达1.51万亿美元，存储器市场增长249.5%。
在此环境中，SK海力士的产能再分配并非退出HBM。2026年6月8日，SK海力士与英伟达宣布达成多年联合开发合作，覆盖AI内存技术路线，HBM主要客户已锁定至2030年。
对于存储产业链而言，当前周期的特征在于HBM与常规DRAM均处于供不应求状态，产能分配成为影响各产品线供应量和企业盈利结构的关键变量。
