铠侠DRAM新厂评估，海力士跟进

受全球AI算力落地带动存储需求暴涨，SK海力士、铠侠相继落地大额扩产规划，但新产线投产周期漫长，行业预判AI驱动的存储缺货行情仍将持续多年。

6月2日，日本NAND闪存厂商铠侠宣布启动新厂房建设评估，项目计划2029年建成投产，核心扩充大容量企业级NAND产能，聚焦AI数据中心存储刚需。此前在全球原厂减产去库存之后，NAND产品价格持续回暖，AI大模型训练、海量数据集存储不断催生新增采购，现有量产产能逐步承压。

DRAM龙头SK海力士在台北电脑展放出重磅扩产计划，集团董事长崔泰源公布，未来五年公司DRAM产能实现整体翻倍，新增产能优先布局HBM配套高端DRAM，紧抓AI高带宽内存爆发红利，稳固自身在高端算力存储供应链的核心地位。

虽然两大国际存储龙头同步布局远期产能扩张，但两家企业共同预警，新建晶圆厂建设、设备调试、产能爬坡耗时数年，新增产能短期无法落地，难以对冲当下快速增长的AI存储需求，未来数年行业结构性缺货已成定局。

海外大厂扩产落地周期滞后，国内存储产业迎来宝贵窗口期。长江存储、长鑫存储等本土厂商将依托供需缺口加速产能释放与高端产品研发，持续推进存储国产化替代，充分享受本轮AI存储上行红利。

（校对/李正操）