ASML定调2027产能翻倍：EUV光刻机不再是掣肘
近日，全球半导体设备巨头ASML（阿斯麦）在第一季度财报电话会议上释放了强烈的市场信号。面对人工智能（AI）引爆的芯片需求狂潮，ASML正式确立了“产能倍增”战略，明确表示将消除EUV光刻设备可能成为行业瓶颈的隐忧。
ASML首席执行官克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）在会上定调：ASML将通过产能扩张与技术迭代的双重引擎，确保半导体供应链的稳定性。
作为全球唯一的EUV光刻机供应商，ASML的产能直接决定了全球先进制程芯片的供给上限。富凯在会议上给出了明确的产能路线图：ASML计划在2026年将低数值孔径（Low-NA）EUV系统的出货量提升至至少60台，并在此基础上进一步发力，目标在2027年将这一数字提升至至少80台。
这一数据相较于2025年的44台出货量实现了翻倍增长，直接回应了市场对“设备短缺”的焦虑。富凯强调，公司并不认为其工具会成为制约半导体行业发展的瓶颈，ASML拥有多种手段，可通过与客户的密切合作来确保稳定的供应。
支撑这一激进扩产计划的底气，来自于供应链韧性的显著增强。ASML首席财务官罗杰·达森（Roger Dassen）透露，此前困扰行业的零部件短缺问题——尤其是与卡尔蔡司（Zeiss）光学元件供应相关的挑战——已得到有效解决。目前，ASML的生产目标已明确为每年90套Low-NA EUV系统和600套深紫外（DUV）系统。为了保持灵活性，公司不仅加强了产能和库存水平，还在荷兰总部附近购置了新土地，为未来的工厂扩建做好了准备。
在现有设备的优化上，ASML旗舰机型NXE:3800E的制造工艺得到改进，生产周期缩短，组装和测试速度加快。更关键的是，设备生产效率（Throughput）得到实质性提升，晶圆吞吐量已从每小时220片提升至230片。这意味着，客户无需增加昂贵的设备采购数量，仅通过现有产线的效率升级，也可以获得额外产能。
ASML披露了更为详尽的产品路线图，展示了其在光刻技术上的长期野心：
·Low-NA EUV路线：ASML计划在2027年推出NXE:3800F，吞吐量超过260片/小时；2029年推出NXE:4200G，吞吐量突破300片/小时；并计划在2031年推出NXE:4200H，实现每小时330片的惊人速度。
·High-NA EUV路线：面向2nm及以下（A16）制程的NXE:5200C将于2027年面世，吞吐量在160至190片/小时之间；2029年推出EXE:5200D，主要面向A14制程，量为大于等于175片/小时或195片/小时；2031年推出EXE:5400E，面向A10及以下制程，量为大于等于180片/小时或210片/小时。
ASML指出，High-NA技术不仅能提供更高的分辨率，还能显著简化制造流程。据DRAM和逻辑客户的反馈，采用High-NA技术后，所需的掩模版数量可从3张减少到1张，工艺步骤更是从100步大幅压缩至10步。
光刻胶合作伙伴的研究显示，High-NA EUV已具备扩展至逻辑芯片18nm线宽/间距、存储芯片28nm接触孔尺寸的能力。这意味着，尽管High-NA设备单价高昂，但其在掩模版成本、工艺复杂度和良率控制上的优势，将为2nm及以下制程的量产提供极高的经济价值。
