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完工率99%!英特尔马来西亚先进封装厂年内投产,剑指24层HBM

2026-03-19 来源:电子工程专辑
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关键词: 英特尔 马来西亚 封装工厂 EMIB Foveros

近日,马来西亚总理兼财政部长拿督斯里安瓦尔·易卜拉欣(Datuk Seri Anwar Ibrahim)正式宣布,英特尔位于马来西亚的先进封装工厂——代号“鹈鹕项目”(Project Pelican),将于今年晚些时候全面投产。

据科技媒体TechPowerUp及《马来西亚边缘报》报道,该工厂的建设已于2025年年底进入最后冲刺阶段,整体完工率高达99%。

英特尔高度重视这一项目,其总投资规模约达70亿美元。为确保工厂顺利完工,公司近期又追加了2亿美元投资,力求将马来西亚打造成其区域性的先进封装核心枢纽。

安瓦尔·易卜拉欣在社交媒体上发文透露,他已亲自会见了英特尔首席执行官陈立武(Lip-Bu Tan)及其他核心管理层,详细听取了关于公司在马投资扩张进展的汇报。

双方讨论的重点紧密围绕如何有效支持先进封装综合体以及发展组装与测试制造,并共同审查了项目的最终进度。安瓦尔表示,该基地的建成将极大提升马来西亚在全球半导体供应链中的战略地位。

英特尔代工业务执行副总裁兼总经理纳加·钱德拉塞卡兰(Naga Chandrasekaran)在汇报期间勾勒了项目的具体实施路径。他指出,该综合体第一阶段的运营规划将明确从先进封装的组装与测试工作着手。

该工厂将承接芯片晶圆分选、预处理等关键工序,并全面支持英特尔两大核心先进封装技术:EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)和Foveros。这意味着,该基地能够更快响应客户对于高性能计算芯片的产能与技术需求。

随着AI大模型对算力需求的指数级增长,传统封装技术已难以满足新一代芯片对高带宽内存(HBM)的集成需求。英特尔马来西亚工厂的投产,正是为了应对这一挑战。

据悉,英特尔目前正致力于扩大封装尺寸,计划将现有的100x100毫米行业标准升级至120x120毫米。这一看似微小的尺寸变化,实则带来了巨大的性能飞跃:芯片支持的HBM堆叠数量将从目前的8层大幅增加至12层。更为雄心勃勃的是,公司已制定长期规划,预计到2028年将推出120x180毫米的超大封装产品,届时可容纳高达24层HBM,内存扩展能力将实现质的突破。

为匹配这一硬件升级,英特尔还升级了最新版本的EMIB-T技术。该技术融合了硅通孔(TSV)工艺,可完美支持现已进入量产阶段的下一代HBM4内存。

韩国电子时报指出,与英伟达AI加速器所采用的传统硅中介层不同,EMIB技术将硅桥直接嵌入芯片基板,为实现高精度2.5D封装提供了更经济、更高效的解决方案。目前,英特尔正联合长期合作伙伴安靠科技(Amkor),在韩国松岛K5工厂等地同步落地其EMIB先进封装技术,以形成全球协同的产能网络。