立昂微斥资22.62亿元扩产，加码12英寸重掺衬底片布局

11月18日，立昂微发布对外投资公告，宣布其控股子公司金瑞泓微电子（衢州）有限公司（简称“金瑞泓微电子”）与衢州智造新城管理委员会签署《投资协议书》，计划在现有厂房内投资建设“年产180万片12英寸重掺衬底片项目”，项目总投资额达22.62亿元。

据公告披露，本次扩产项目选址于衢州智造新城东港片区盘龙南路52号的金瑞泓微电子现有厂房内，将利用约19000平方米厂房面积进行局部改造，通过购置单晶炉、抛光机等国内外先进设备，形成年产180万片12英寸重掺衬底片的生产能力。

项目总投资中，固定资产投资占比达21.96亿元，计划于2025年12月31日前完成开工准备，整体建设周期约60个月，采取分阶段建设、分阶段投入、分阶段产出的模式推进，预计每年投入金额约3.5亿元。

从资金来源看，项目出资方式为现金，全部源于立昂微及子公司的自有资金与自筹资金，不涉及募集资金。立昂微明确表示，资金投入进度将结合公司资金状况、市场供需状况动态调节，每年3.5亿元的投入规模不会对现有业务造成资金压力，也不会影响生产经营活动的正常运行。项目预计投资收益率为7.76%，投产后将进一步完善公司在半导体硅片领域的产能布局。

此次扩产具有鲜明的战略针对性。公告显示，金瑞泓微电子现有重掺系列硅片产能已接近满产，而当前新能源汽车、AI服务器、储能等新兴产业飞速发展，高端功率器件市场对重掺砷、重掺磷等系列的厚层、埋层等特殊规格硅外延片需求迫切。本次项目生产的12英寸重掺衬底片，正是制备此类高端产品的核心材料，终端可广泛应用于AI服务器不间断电源、储能变流器、充电桩、工业电子及汽车电子等领域。

技术层面，金瑞泓微电子已掌握12英寸硅片成套工艺核心技术，项目将采用自主开发的重掺杂直拉硅单晶制备、微量掺锗直拉硅单晶等关键技术，确保产品性能满足高端市场需求。值得注意的是，该项目可与金瑞泓微电子现有“年产180万片12英寸半导体硅外延片项目”形成上下游配套，构建从衬底片到外延片的一体化生产能力，有效优化产品结构、提升产品丰富度。

立昂微指出，项目实施后将显著提升公司重掺系列硅片生产能力，有助于巩固市场头部地位，同时将提高我国半导体硅片的自主化水平，匹配国内晶圆厂发展需求，提升整个半导体产业链竞争力，符合公司发展战略及全体股东利益。不过由于项目建设周期较长，预计对2025年度经营业绩不会产生重大影响。