SK海力士公布技术路线图，转型“全栈AI存储创造者”

近日，韩国首尔举行的“SK AI Summit 2025”峰会上，SK海力士CEO郭鲁正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全线AI存储创造者”（Full Stack AI Memory Creator）转型的战略新愿景，在迎接下一个AI时代之前，SK 海力士能深化其角色。 

这一转变意味着SK海力士将从传统的“全栈存储供应商”角色演进为与客户共同创新的“共同架构师、合作伙伴和生态贡献者”。SK海力士将更深入地参与到客户的早期设计阶段，共同解决技术挑战，提供定制化的内存解决方案（例如定制 HBM），并积极推动整个AI生态系统的发展与合作，而不仅仅是销售硬件。

郭鲁正指出，AI的加速应用导致信息流量爆炸性增长，但存储性能未能与处理器进步保持同步，形成所谓的 “存储墙”障碍。为此，存储芯片不再只是普通元件，而是AI产业中的核心价值产品。 

新战略愿景：从供应商到共同创造者 

SK海力士的新战略基于对AI时代存储需求的深刻洞察。郭鲁正强调，随着AI市场从商品化扩展到推理效率优化，单纯的“供应商”角色已不足以满足市场需求。

SK海力士将作为共同架构师，在AI计算领域超越客户期望，通过生态系统合作解决客户面临的挑战。 

这一转型反映了存储芯片在AI产业链中价值地位的变化。存储芯片不再是计算单元的附属品，而是影响AI系统整体性能的核心要素。 

SK集团董事长崔泰元在会上表示：“AI竞争应该从规模之争转向效率之争，如果我们继续只关注规模，将会耗费巨资并造成效率低下。” 

产品路线图：2026-2031年全栈布局 

SK海力士公布了详细的产品路线图，涵盖了从2026年至2031年的时间跨度。 

2026-2028年，定制化HBM与AI专用存储落地 。

在HBM方面，SK海力士将推出HBM4 16层堆叠产品，并从HBM4E开始供应定制化HBM解决方案。定制化HBM通过将协议和控制器从XPU芯片移至HBM基础裸片，为计算单元释放更多空间，显著降低接口能耗。 

在DRAM领域，公司将推出LPDDR5R和LPDDR6等标准解决方案，同时引入全新的AI DRAM产品线。 

NAND方面将推出PCIe Gen6企业级与客户端固态硬盘，以及UFS 5.0等标准解决方案。 

2029-2031年，HBM5与3D DRAM问世。中长期规划中，SK海力士将全面进入HBM5世代。 

通用DRAM领域将看到下一代GDDR7、DDR6以及晶体管结构发生重大变化的3D DRAM面世。NAND部分将实现400层以上堆叠，并推出PCIe Gen7 SSD和UFS 6.0等产品。 

三大产品矩阵破解AI存储瓶颈 

为实现新愿景，SK海力士推出了三大核心产品矩阵，包括客制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。这样的布局将取代传统存储解决方案多半以计算为中心的情况，改以朝向多元化和扩展存储功能的方向发展，目标是达成更高效的运算资源使用，并从结构上解决AI 推论瓶颈。

定制化HBM：最大化芯片性能 

定制化HBM是将GPU和ASIC特定功能整合到HBM基础裸片上的产品，能够最大化GPU和ASIC性能，同时通过HBM减少数据传输功耗。 

SK海力士的12层HBM4样品已实现2TB/s带宽，较前代提升60%以上，计划2025下半年完成量产准备。目前，SK海力士占据全球HBM市场50%以上份额，是英伟达AI GPU的HBM3/HBM3E独家供应商，2025-2026年HBM产能已全部售罄。 

AI DRAM：三大方向解决不同场景需求 

SK海力士将AI DRAM细分为三个方向： 

1、AI-D O（Optimization）的优化，这是一种低功耗、高性能的DRAM，旨在降低总体拥有成本（TCO）并提高运营效率。该解决方案包括MRDIMM、SOCAMM以及LPDDR5R。

2、AI-D B（Breakthrough）的突破，这是面向克服“内存墙”的解决方案产品。其特点是超高容量内存和灵活的内存分配。该类别包含CMM和PIM。

3、AI-D E（Expansion）的扩展，目的是扩展DRAM的使用案例，不仅限于数据中心，还扩展至机器人、移动性（mobility）和工业自动化等领域。该解决方案包含HBM。

AI NAND：三重维度重构存储性能 

AI NAND战略分为三个方向： 

1、AI-N P（Performance）提高性能，强调超高性能的解决方案，旨在有效处理大规模AI推理任务产生的大量数据。通过将存储与AI运算之间的瓶颈降至最低，显著提高了处理速度和能源效率。SK海力士计划设计具有新结构的NAND和控制器，并目标在2026年底前发布样品。

2. AI-N B（Bandwidth）加大带宽，通过垂直堆叠半导体晶粒来扩大带宽，作为弥补HBM容量增长限制的解决方案。其关键在于将HBM的堆叠结构与高密度且具成本效益的NAND闪存结合。

3. AI-N D（Density）发展密度，通过达成超高容量来增强成本竞争力。这是一种高密度解决方案，适用于以低功耗和低成本存储大量AI数据。SK海力士的目标是将密度从目前基于QLC的固态硬盘（SSD）的太字节（TB）级别提高到拍字节（PB）级别，并实现一种结合SSD速度和HDD成本效益的中端存储解决方案。

合作生态：与全球巨头深度绑定 

SK海力士的转型战略强调与全球科技领袖的合作关系。 

郭鲁正强调：“在AI时代，预计那些通过与客户和合作伙伴合作，创造更强大协同效应和卓越产品的公司将会取得成功。” 

SK海力士与英伟达在HBM供应和数字孪生技术方面深化合作，利用NVIDIA Omniverse优化晶圆厂生产效率。 

与台积电合作开发下一代HBM所需的逻辑制程基底芯粒。与OpenAI建立长期高性能内存供应关系，满足其大规模AI基础设施项目“星际之门”的需求。 

SK集团董事长崔泰元透露，OpenAI最近向SK海力士提出每月提供90万片HBM晶圆的需求，这约等于全球所有公司HBM每月总产能的两倍。 

产能扩张应对供应瓶颈 

面对全球AI存储芯片供不应求的局面，SK海力士正积极扩大产能。 

SK集团将扩大存储芯片产能并提升技术。预计于2027年投产的全新龙仁半导体集群，其产能相当于24座M15X晶圆厂——这是SK海力士最大的HBM芯片工厂。 

同时，在美国印第安纳州建设先进封装生产基地，集中制造下一代HBM等AI存储器产品。 

2025年上半年，SK海力士已超越三星，以38.7%的营收份额登顶全球DRAM市场，HBM业务的高溢价效应进一步提升其盈利能力。 

SK海力士的战略转型预示着AI存储芯片市场将进入一个全新的竞争阶段。随着定制化HBM、AI DRAM和AI NAND三大产品矩阵的逐步落地，SK海力士正试图重新定义存储在AI时代的作用与价值。 

SK集团董事长崔泰元自信地表示：“SK海力士的技术能力已经在业内得到了充分的证明，就连英伟达CEO黄仁勋也不再询问我们的开发速度了。” 

随着2026年首批新一代产品的上市，AI存储市场格局或将迎来新一轮洗牌。 

责编：Amy.wu